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  • RE: [参考译文] LDC1614：有人知道、线圈设计人员的 DesignSpark 导出除了0402封装的单个电容器之外、没有其他东西可以导出？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Ralph 我在 DesignSpark 的"技术文件"下看到以下内容。 是的、线圈设计器是一款较旧的工具、很长时间未更新。 下面的 Excel 计算器是更新程度更高的工具、但遗憾的是、它不包含导出到 CAD 的选项、也没有计划在 Excel 工具中包含此类选项。 https://www.ti.com/tool/LDC-DESIGN-TOOLS
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  • RE: [参考译文] LM5145-Q1：LM5145-Q1负载调节

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 请填写快速入门计算器文件(网址为 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC)。 电流限制设定值取决于 MOSFET RDSon。 当您从1.69kΩ 降低到422Ω 时、它应该增加4倍。 这里的输入电压是多少？ 您可能不需要100V FET - 60V 或80V 就足够了。 SIR870DP 具有82nC 的高 Qrr、这可能会增加整体噪音水平并影响控制器操作…
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  • [参考译文] LM5145DESIGN-CALC：请帮助您检查设计

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1210992/lm5145design-calc-please-help-to-check-the-design 器件型号： LM5145DESIGN-CALC 尊敬的 供应商： 我正在尝试在我们的产品中使用…
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  • RE: [参考译文] TPSM843B22EVM：TPSM843B22 激光驱动器的降压电源模块限制和设计要求

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 对于电源模块来说、电感器集成到封装中是好事、也是坏事。 TPSM843B22 功率级针对 0.8V 至 1.2V 等较低输出电压进行了更优化。 在电感器受限和您独特的用例的情况下、我很难确定 TPSM843B22 是否合适。 TPSM843B22 还具有用于软启动、电流限制和集成环路补偿的分立式设置、这减少了外部元件数量、但灵活性较差。 我不推荐 TPS56221、但具有类似功能的器件可能会更好…
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  • RE: [参考译文] LM5176：稳压器不具有所需的输出电压。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Romuald： 感谢您的咨询。 您能将您的原理图发送出去吗？ 此外、如果您可以填写并附上 Excel 快速入门计算器： https://www.ti.com/tool/download/SNVC208、也会很有帮助 我期待您的答复。 此致 Moritz
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  • RE: [参考译文] LM5145：振荡。 FAULT OCP 触发器

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 David： 我建议检查稳定性、因为由此产生的振荡有可能达到电流限制。 请填写快速入门计算器 https://www.ti.com/tool/LM5145DESIGN-CALC 、要特别注意输入输出电容值及其 ESR。 请注意、陶瓷的电容会随着电压的降低而降额、例如、在24VDC 时、一个10uF/50V/X7R/1210陶瓷电容器可能为~3uF。 还应该看看 LM5145数据表中的应用示例…
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  • RE: [参考译文] INA333：锁存问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Shoo、 我现在要结束本次调查。 如果您有其他问题、请告诉我。 下面是可用于检查仪表放大器的线性工作点的模拟工程师计算器。 https://www.ti.com/tool/ANALOG-ENGINEER-CALC 此致！ 雷蒙德
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  • RE: [参考译文] LM5175：MOSFET 选择问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ryan、 降压低侧 MOSFET 的损耗可通过算出： P_SWITCH.LOSS = 2 *死区时间* Fsw * VSD * I_OUT 死区时间可以设置为50ns Vsd = MOSFET 体二极管的正向电压 我还可以使用快速入门计算器、它可以让您单独设置 MOSFET： https://www.ti.com/tool/download/LM5175QUICKSTART…
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  • [参考译文] UCC28600：多输出绕组 Excel 工具 UCC28600

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC28600 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1556308/ucc28600-multiple-output-winding-excel-tool-ucc28…
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  • RE: [参考译文] LM5146：空载电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nicolas、 我怀疑您有很大的电感器磁芯损耗和/或 FET 开关损耗。 发送完整的快速入门计算器文件、以便我们检查功率损耗： https://www.ti.com/tool/LM5146DESIGN-CALC PS：假设最大输入电压为58V、LM5145 75V 版本就足够了。 请注意、LM5145数据表中提供了24V 输出应用电路示例。 此致、 时间…

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