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  • RE: [参考译文] BQ25723：原理图检查

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 e2e.ti.com/.../faq-bq25730-faq-how-do-i-ensure-the-charger-schematic-is-satisfactory-is-there-a-schematic-checklist-for-ti-buck-boost-controllers-such-as-bq25700a-bq25703a-bq25708-bq25710-bq25713…
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  • RE: [参考译文] BQ25710：IINDPM

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 有关更多详细信息、请参阅以下主题。 e2e.ti.com/.../bq25720-power-sequence-question
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  • [参考译文] BQ25710：闪存状态机(FSM)

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25710 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1441402/bq25710-flash-state-machine-fsm 器件型号： BQ25710 工具与软件：…
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  • RE: [参考译文] BQ25731EVM：VBUS 和 VIN、PGND 和 GND 之间的区别是什么？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Chad： 1. VIN 和 VBus 是两个网标。 1欧姆电阻器和0.47uF 电容器构成低通滤波器、因此可为 VBus 提供"干净"电压。 2.同样，我们通常将地分为"干净的"低噪声接地端和"有噪声的"PGND"接地端。 它们通过网带实现电气连接。 我们有一份原理图检查清单、其中包含大量有关元件值和用途的信息…
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  • RE: [参考译文] BQ25731EVM：VBUS 和 VIN、PGND 和 GND 之间的区别是什么？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Chad： 1. VIN 和 VBus 是两个网标。 1欧姆电阻器和0.47uF 电容器构成低通滤波器、因此可为 VBus 提供"干净"电压。 2.同样，我们通常将地分为"干净的"低噪声接地端和"有噪声的"PGND"接地端。 它们通过网带实现电气连接。 我们有一份原理图检查清单、其中包含大量有关元件值和用途的信息…
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  • RE: [参考译文] BQ25713B：关于 IC 的几个问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Antonio、 [报价用户 id="616104" url="~/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1408299/bq25713b-few-questions-about-the-ic "] BQ25713与 BQ25713B 之间的区别是什么？ [报价…
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  • RE: [参考译文] BQ25713：充电器在电池电量耗尽时赢了#39;t Go

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Chris， 请参阅以下常见问题以检查您的设计： https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1056344/faq-bq25730-faq-how-do-i-ensure-the-charger-schematic-is-satisfactory…

  • [FAQ] [参考译文] [常见问题解答] BQ24800：我使用10mΩ 以外的检测电阻值来扩展输入电流范围、但 GUI 没有显示此扩展范围。

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1253903/faq-bq24800-i-am-using-sense-resistor-values-other-than-10m-to-extend-the-input-current-range…
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  • RE: [参考译文] BQ25723：关于低功耗模式

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Yusuke - San， 我在 EVM 上尝试过它，但 没有看到这 种现象 。 不幸的是，您的注册设置格式有点混乱，我不理解。 在默认设置下，只要“EN_LWPWR 位”处于打开状态且没有 VBUS，我就会看到 REGN 处于关闭状态。 RESET_REG 和设置 EN_LWPWR 对我有效。 我的建议是订购 EVM，并将 EVM 的性能与您当前的设计进行比较。 https:/…
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  • RE: [参考译文] BQ25700A：不想使用 SYS Pin

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Chase， 1.是的，但 BQ25731 消除了 BATFET。 有关更多信息，请参阅 EVM 示意图。 您将无法使用降压-升压控制器(包括 BQ25700A)消除升压开关 FET 或输出盖。 在设计上，您需要所有4个 MOSFET，并且在设备切换时需要输出电流上限来提供瞬时电流。 本常见问题解答可能有助于消除某些输出盖，并且只安装您所需的功率级别盖： https://e2e…

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