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RE: [参考译文] BQ25672EVM:BQ25672
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Tran: 您可以使用
BQ25790
/2 bqz 来评估 BQ25672。 BQ25672是一个禁用正向升压模式的 BQ25792。 此致、 Jeff
10 个月前
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RE: [参考译文] TPS25750:PD 控制器是否与 BQ2571x 和 BQ2573x 兼容...?
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Veeramani: TPS25750与
BQ25790
/2、BQ25731和 BQ25713兼容。 任何其他 BQ 器件都需要外部主机/MCU 来进行配置和控制。 谢谢。此致、 雷蒙德·林
10 个月前
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RE: [参考译文] BQ25790:问题
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Hayashi-San、 关于1、当 VBUS 接近 VBAT 时、转换器进入降压/升压模式。 根据 VBUS >或< VBAT、转换器会在短时间内首先将 Fsw 降至1/2的降压(升压) FET。 然后、升压(降压) FET 也开始在1/2的 FSW 下进行开关。 因此、降压和升压 FET 最终会交错、以实现等效的全 Fsw。 遗憾的是、当 VBUS ~= VBAT…
1 年多前
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RE: [参考译文] BQ25790:引脚问题
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Hayashi、您好! 下表显示了施加电压和温度降额后的最小绝对陶瓷电容。 需要 PMID 和 SYS 上的0.1uF 电容。 我不理解 OTG 的问题。 如果 MUX 用于打开 OTG、则主机必须向 OTG 使能寄存器和 ACDRVx 寄存器写入数据。 如果在 VACx < OTG 电压下施加了电压源、并且该电压源可以灌入电流、则充电器将不会检测到该电压。 如果施加的电压…
1 年多前
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RE: [参考译文] BQ25790:VSYS 调节
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Hayashi-San、 是的、没错。 此致。
1 年多前
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RE: [参考译文] BQ25790:电流限制转换
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Hayashi、您好! 是的。 无论 D+/D-协商如何、ILIM_HIZ 都会钳制输入电流限制。 REG0x14[1]可在初始上电后禁用 ILIM 引脚。 或者、您可以将 ILIM_HIZ 直接连接到 REGN 引脚以设置最大输入电流限制、然后让 D+/D-协商较低的输入电流限制。 此致、 Jeff
1 年多前
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RE: [参考译文] BQ25790:关于运输模式和 BATFET
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Alan: 充电器只能在没有 VBUS 的情况下进入运输模式、因此 ACFET 必须已经关闭。 上述每一步骤本身都会导致充电器退出运输模式。 此致、 Jeff
1 年多前
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RE: [参考译文] BQ25790:1s 电池充电效率与充电电流间的关系
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好,Kagawa, 关于1、遗憾的是、我没有相关信息、但 BQ25792与
BQ25790
相同、但采用引线式封装。 引线会增加少量电阻、因此 BQ25792效率略低于
BQ25790
效率。 除非有必要像双输入多路复用器或>18V 输入那样使用
BQ25790
、否则 TI 还提供其他支持 D+/D-的1S 充电器、这可能更适合。 关于2、VACx 仅检测电压、无法知道是否连接了…
1 年多前
电源管理(参考译文帖)
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RE: [参考译文] BQ25790:自动设置电流限制和看门狗保护
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Hayashi-San、 有关 VBUS 电压读数、请参阅数据表 第8.3.5.5节"默认 VINDPM 设置"。 如果转换器已经开始开关、可通过设置寄存器位 FORCE_VINDPM_DET=1来执行 VBUS0测量。 强制 VINDPM 检测只能在 VSYS_STAT = 0 (VBAT > VSYSMIN)时完成。 您还可以使用 VBUS ADC…
1 年多前
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RE: BQ24179: Bq24179 layout
Star Xu
您好,请参考下面内容 There is no updated layout info. I will submit for datasheet update. Below is a cutout from the
BQ25790
EVM user's guide. BQ24179 is a downspin of
BQ25790
. C24 (CPMID decoupling) and C26 (CSYS decoupling) are the most critical and must…
1 年多前
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