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• RE: [参考译文] BQ25886：BQ25886导致 EMI 测试失败

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Chase： 您可以继续请求友谊。 此致、 迈克·伊曼纽尔

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] BQ25886：BQ25886导致 EMI 测试失败

  

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  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] BQ25886：BQ25886导致 EMI 测试失败

  

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• RE: [参考译文] BQ25886：BQ25886导致 EMI 测试失败

  

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  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] BQ25886：STAT 引脚在施加 VBUS 后立即变为高电平。

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Chase： 您能否说明一下您的设置以及对应的波形？ 当我首先在 BQ25886 EVM 上应用~7.6V VBAT 和8.4V VREG、然后连接~5V VBUS 时、我会看到 VBUS 出现、然后 STAT 在400ms 后变为低电平。 然后、电池开始充电。 当仅连接电池时、在我插入 VBUS 之前 STAT 为高电平。 请记住、在转换器启动之前、为 REGN 加电至少需要220ms…

  • 1 年多前
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• RE: [参考译文] BQ25886：是否会定期检查 ICHGSET ILIM 和 VSET？

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ ICHGSET 和 ILIM 实时更新。 从我的测试来看、VSET 似乎没有更新、只在 POR 时读取。 此致、 迈克·伊曼纽尔

  • 1 年多前
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• RE: [FAQ] [参考译文] [常见问题解答] BQ25882：BATFET 如何在 BQ25882、BQ25883和 BQ25886中工作？

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 谢谢！

  • 1 年多前
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• BQ25886: 我用该芯片设计给两节锂电池充电

  

  user4837415

  TI 认为已经解决

  Part Number: BQ25886 我用该芯片设计给两节锂电池充电，在做辐射干扰的时候，充电过程中，会造成辐射干扰过不了，不充电的时候，测试辐射干扰没问题，请问有什么办法改善这个辐射干扰问题吗？

  • 1 年多前
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• BQ25886: 我们现在在做测试辐射干扰，发现充电的时候辐射干扰过不了

  

  user4837415

  TI 认为已经解决

  Part Number: BQ25886 我们现在在做测试辐射干扰，发现充电的时候辐射干扰过不了。只要在充电状态，辐射干扰就有问题，请问有什么办法改善？

  • 1 年多前
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• BQ25886: 我们现在在做测试辐射干扰，发现充电的时候辐射干扰过不了

  

  user4837415

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  Part Number: BQ25886 我们现在在做测试辐射干扰，发现充电的时候辐射干扰过不了。只要在充电状态，辐射干扰就有问题，请问有什么办法改善？

  • 1 年多前
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