• BQ40Z50-R2: 温度精度偏差大

  

  linzi ma

  TI 认为已经解决

  Part Number: BQ40Z50-R2 Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50 BQ40Z50的温度精度跟10K 的NTC 的B值是选3435K还是3380K差异大吗

  • 2 年多前
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• [参考译文] BQ40Z50：LOCK0

  

  admin

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  • 2 年多前
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• BQ40Z50: Mfg Status init 中 FET_EN被异常变0

  

  jh qian

  TI 认为已经解决

  Part Number: BQ40Z50 BQ的上位机的寄存器中Mfg Status init 中 FET_EN位，在电池组完全放电后，变成0了。有什么原因或设置会导致此现象？

  • 2 年多前
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• [参考译文] BQ40Z50-R1：MAXRROR 101

  

  admin

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  • 1 年多前
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• [参考译文] BQ40Z50-R2：SRP、SRN 的绝对最大额定值

  

  admin

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  Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50-R2 , BQ40Z50 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1312217/bq40z50-r2-absolute-maximum-ratings-for…

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• [参考译文] BQ40Z50-R2：SRP、SRN 的绝对最大额定值

  

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  • 2 年多前
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• [参考译文] BQ40Z50-R2：设计电压的影响

  

  admin

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• [参考译文] BQ40Z50-R2：设计电压的影响

  

  admin

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• [参考译文] BQ40Z50-R2：设计电压的影响

  

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  • 2 年多前
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• BQ40Z50: 打静电接触+8KV芯片复位

  

  Li Li

  TI 认为已经解决

  Part Number: BQ40Z50 4S2P的电池包在对通讯和P+,P-打静电接触+/-8KV时会触发芯片复位，请帮忙看下是哪里有问题谢谢！下图分别是原理图和通讯和P+,P-部分的PCB走线以及打静电时P+,P-掉电20ms触发复位的波形。

  • 2 年多前
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