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• [参考译文] LM61495RPHEVM：VIN-SW &amp；SW-GND 波形行为

  

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  Other Parts Discussed in Thread: LM61495 , LM61495RPHEVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1279875/lm61495rphevm-vin-sw-sw-gnd-waveform…

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  • 2 年多前
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• [参考译文] LM61495RPHEVM：VIN-SW &amp；SW-GND 波形行为

  

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  Other Parts Discussed in Thread: LM61495 , LM61495RPHEVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1279875/lm61495rphevm-vin-sw-sw-gnd-waveform…

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  • 2 年多前
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• [参考译文] TPS61022：tps61022 随机损坏

  

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  Other Parts Discussed in Thread: TPS61022 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1577405/tps61022-tps61022-damaged-randomly 器件型号： TPS61022 尊敬的…

  • 7 个月前
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• RE: [参考译文] AM2612-Q1：AM261 I2C 问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Kita、 我将邀请一位 SW 专家来帮助完成项目 1 和 2。 3) I2C 向后兼容模式是指 I2C 外设向后兼容在标准模式 (10kbps 至 100kbps) 和快速模式（高达 400kbps）下运行的 I2C 总线。 下面的时序图演示了 BCM 位对 I2C 模块寄存器和中断的影响： 此致、 Brennan

  • 6 个月前
  • 基于 Arm 的微控制器（参考译文帖）
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• [参考译文] PMP41106：具有 UCC256601的 PMP41106

  

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  Other Parts Discussed in Thread: PMP41106 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools-forum/1481691…

  • 1 年多前
  • 仿真、硬件和系统设计工具（参考译文帖）
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• LM25145: 带7A负载测试，上MOS管90度发热严重，SW占空比跳变，COMP环路，极点零点穿越频率参数如何设置匹配设计

  

  ? ??

  TI 认为已经解决

  Part Number: LM25145 er: LM25145 LM25145使用中上MOS管90度发热严重，SW占空比跳变，COMP环路参数如何调节？？ 一、设计需求：VIN=36V VOUT=28V/8A FSW=500KHZ 二、测试情况：VOUT接入3.5Ohm电阻负载后，SW波形上下冲严重且上MOS-Q1温升较快，30分钟内可达80度，1小时后最终温度稳定在90度，整板周围器件温度可达75度，上MOS-Q1温度达到90度后SW波形占空比出现跳变，详见测试波形。 三、需要解决问题： 1.如何降低Q1…

  • 2 年多前
  • 电源管理
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• RE: LM5190: LM5190输出5V，反馈引脚FB不受控制

  

  pan hope

  1）R16=120k无问题，因为短接R16后，VOUT=0.81V，然后突然放开VOUT=48.8V，2）不短接R16上电 VOUT=5V, FB=0.081V，计算分压跟120K与2K分压正确 ，并且放开后VOUT能达到48.7V跟分压设计预期一直，证明分压没有问题。3）EN能控制输出的开启和关断，无问题，VCC=7.5V，与文档一致， 4）我个人感觉像是启动困难，因为短接R16后，启动VOUT=0.81 ,突然放开能达到48.7V，并且能带载10欧姆电阻，电压不跳变。 5） 观察SW引脚，输出5V时候占空比在10…

  • 9 小时前
  • 电源管理
  • 电源管理论坛

• RE: [参考译文] TCAN2451-Q1：JLINK 工具可以&&#39；使用 tcan2451 nRST (下拉电压)功能时、连接到 MCU。

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 1. MCU 中没有代码。 首次连接到 MCU 时会发生这种情况。 断开0欧姆(R1)电阻器、独立烧录程序、然后重新连接0欧姆(R1)后、从此可以成功连接 JLINK。 2. 是的、VCC1来自 SBC VCC1输出引脚(3.3V) 3。SW 始终处于高电平且具有3.3V、SW 引脚上拉至 VCC1、电阻为470 Ω。 形成 SBC 处于调试模式； 我有一个问题,图形显示复位信号…

  • 1 年多前
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• LM25145: LM25145使用中上MOS管90度发热严重，SW占空比跳变，COMP环路参数如何调节？？

  

  ? ??

  TI 认为已经解决

  Part Number: LM25145 LM25145使用中上MOS管90度发热严重，SW占空比跳变，COMP环路参数如何调节？？ 一、设计需求：VIN=36V VOUT=28V/8A FSW=500KHZ 二、测试情况：VOUT接入3.5Ohm电阻负载后，SW波形上下冲严重且上MOS-Q1温升较快，30分钟内可达80度，1小时后最终温度稳定在90度，整板周围器件温度可达75度，上MOS-Q1温度达到90度后SW波形占空比出现跳变，详见测试波形。 三、需要解决问题： 1.如何降低Q1-MOS温度…

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] TPS546E25：用于频率响应测量的注入电阻器放置

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 歩綿貫 μ s 对于此测量、我们计划添加一个 50Ω 注入电阻器。 您能否建议将该电阻器放置在合适的位置？ 我所考虑的位置是否正确？ 是的、这是环路注入电阻器的正确位置。 还有一些关于原理图的注释： 1) 每个 TPS546E25 器件应具有自己的独立模拟接地岛。 2) 每个 TPS546E25 应将其模拟接地岛连接到其 PGND、并在 AGND 引脚和 PGND…

  • 9 个月前
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