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  • LM25145: LM25145使用中上MOS管90度发热严重，SW占空比跳变，COMP环路参数如何调节？？

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM25145 LM25145使用中上MOS管90度发热严重，SW占空比跳变，COMP环路参数如何调节？？ 一、设计需求：VIN=36V VOUT=28V/8A FSW=500KHZ 二、测试情况：VOUT接入3.5Ohm电阻负载后，SW波形上下冲严重且上MOS-Q1温升较快，30分钟内可达80度，1小时后最终温度稳定在90度，整板周围器件温度可达75度，上MOS-Q1温度达到90度后SW波形占空比出现跳变，详见测试波形。 三、需要解决问题： 1.如何降低Q1-MOS温度…
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  • [参考译文] LMR16030：电感影响 SW 波形

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1344704/lmr16030-the-inductance-affects-the-sw-waveform 器件型号： LMR16030 迪亚尔斯、 客户 发现电感影响了 SW 输出波形、从而使输出异常…
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  • RE: [参考译文] LM25145：嗡嗡声和安培；压降问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Barnabas： 您能否分享以下信息进行调试？ 1.请 在 Vin = 32V 且 Vin<32V 的情况下捕获并共享 SW 节点、Vout、Iout 2.什么是部件号 不同类型的电感器？ 它与 Webench 中的建议相同吗？ 3.请仔细检查并确认 SYNCIN 是否在实际 PCB 中被上拉至 Vcc。
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  • RE: [参考译文] LAUNCHXL-F280049C：无法通过 SW 驱动器清除 CMPSSn 数字滤波器锁存事件 A1/B1。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Peter： Unknown 说： 您是否使用独立于通常提供锁存清除信号的 ePWM 模块的 CMPSS？ 否 Unknown 说： 如果我正确理解您的查询、您尝试手动清除 latch 更正 一次启用禁用 PWM 事件标志的调用将清除 DC1A/1B 事件 DACH/L 锁存器。 奇怪地取决于 PWM Xbar 多路复用器的配置方式。 当前 PWM 组合或通过多路复用器(2…
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  • RE: [参考译文] LP87745-Q1：有关 LP87745-Q1配置的问询：使 BUCK2/BUCK3 SW 在其他通道上悬空并使 FB 接地的影响

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Simon： 您是否正在使用 LP877451A1RXVRQ1器件？ 如果为真、则默认情况下会启用 BUCK2和 BUCK3、并且您不能直接将 BUCK2/3 SW 引脚悬空。 您需要使用外部电感器正确连接、并且每个 BUCK 和 FBx 都至少有一个输出电容连接到 Vout。 之后、您可以将其保持原样、不使用它、但如果您将其保持为此 PMIC、则会在 SW 引脚断开时检测到错误…

  • RE: BQ25750EVM: BQ25750；BQ25750EVM

    针对您发的三个图 1) 我认为这是正常的行为。未切换的高端FET可能由电荷泵驱动。 2)这不是正常的波形。你能把这个IC换成新的IC，看看行为是否会改变吗？ 3)BTST电压源参考SW节点，而不是GND。您是使用单端探头还是差分探头来测量BTST1和BTST2？
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  • [参考译文] LMG2100R044：序列和外露焊盘问题

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    Other Parts Discussed in Thread: LMG2100R044 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1495701/lmg2100r044-sequence-and-exposed-pad-questions …
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  • RE: [参考译文] LM5160：LM5160

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 对不起,我删除了一个不准确的答案,让我再次在这里回复。 首先、请注意、初级负电流意味着电流向下流入低侧 FET 的漏极。 如果我的话会让您混淆、请画出原理图和电流方向。 另请注意、电感器看到的电压 SW-SW- VOUT。 在死区时间期间、低侧 FET 关断、其通道立即停止电流、向下流动的电流将对固有的漏源电容器充电、以提高 SW 电压。 在此过程中、您将看到电感器电压 SW…
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  • RE: [参考译文] AM625：使用 TISCI_MSG_READ_SWREV func 时、该值不是1

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 这里是我修改的 sw-rev 1. linux-uboot/arch/arm/mach-K3/Kconfig 2. linux-uboot/tools/binman/etype/x509_cert.py 3. linux-uboot/arch/arm/dts/k3-am625-sk-binman.dtsi 我使用了您介绍的方法仅修改 k3-am625-sk-binman…
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  • RE: [参考译文] LMG2640：半桥的高侧永久关断、BST 电压仅为 1V、而不是 5V

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 谢谢你的提示,但我不能找到我的错误。 我的 BST 未连接到某些电源电压、仅连接到电容器 330nF 和通过万用表测得的 BST 电压。 但是： INH = 0V 和 INL = 0V 两侧 MOSFET 均闭合。 BST 电压= 1V INH = 0V 且 INL = 3、3V 低侧 MOSFET 开关切换至导通、高侧闭合。 BST 电压= 15V = AUX INH…

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