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找到 4,790 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
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  • RE: [参考译文] MSPM0G3519:尝试根据标准 IEEE 802.3多项式运行 CRCP

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Eugene: [报价 USERID="636987" URL="~/support/microcontrollers/arm-based-microcontrollers-group/arm-based-microcontrollers/f/arm-based-microcontrollers-forum/1474669/mspm0g3519-trying-to-run…
    • 8 个月前
    • 基于 Arm 的微控制器(参考译文帖)
    • 基于 Arm 的微控制器(参考译文帖)(Read Only)
  • Answered
  • RE: [参考译文] LMG2100R044:上升时间和下降时间

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Thi Pham: 感谢您与我们联系。 我需要您方面提供更多详细信息、以检查输出 SW 节点的上升、下降时间 和功率损耗值之间的差异所在。 能否分享您在 LMG2100R044 EVM 上进行的 DPT 测试的更多详细信息、比如您在 VCC 电源引脚或 HB 引脚上使用了任何压摆率电阻器进行自举? 2.另外,您能否说明 Rg (1欧姆)在 EVM 上的连接位置? …
    • 6 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] LM5116:LM5116未按预期工作。 输出电压值不正确。

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、非常感谢您的回答! 下面是示波器图像: 1) UVLO:(1.32V) EN:(5.06V) 2) 2) Vcc:(5.37V) 3) SS:看起来没有正确斜升。 4) COMP:(4.79V) 5) HB:(1.48V) SW:(-400mV)应为12V、例如输出电压。 HB - SW = 1.9V。 Vcc = 5.37V。 6) HO…
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • [参考译文] BQ40Z80EVM-020:CAN 't 通过 Battery Management Studio 或 Python 脚本进行连接

    admin
    admin
    Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z80EVM-020 , EV2400 , BQSTUDIO 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1508163/bq40z80evm-020-can-t-connect…
    • 6 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] AWR2944:如何使用已知数据验证 LVDS 数据路径

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好、我已经实施了测试模式。 使用 lane1+2时的 LVDS 流可能会出现一些问题(使用 EVM 和自行设计的雷达板进行了测试) 测试用例是 1. 设置测试对象和测试模式 2.使用 DCA1000采集数据 结果: 使用 EVM: 1.采集3组样本,所有数据相同 雷达电路板的简单通信 1、采集3组样本,几乎50%的数据不同 如数据所示、lane1或 la…
    • 1 年多前
    • 传感器(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] LM74720-Q1:使用 OVP 功能放大器;降低暗流

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Adam、 理想情况下、我们希望 Vin 与 GND 之间的总电阻、即 R14+R15+R16小于120 kΩ、以确保流经路径的电流为100倍于1uA、这是流入 OV 引脚用于运行的电流。 您 MΩ 考虑将总电阻增加至1.2 k Ω 、这样路径中流过的电流至少为10x 1uA。 使用1.2MΩ Ω 的 R14+R15+R16可能会影响 IC 的 OV 功能。 2. 1MΩ …
    • 2 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] LM74720-Q1:使用 OVP 功能放大器;降低暗流

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Adam、 理想情况下、我们希望 Vin 与 GND 之间的总电阻、即 R14+R15+R16小于120 kΩ、以确保流经路径的电流为100倍于1uA、这是流入 OV 引脚用于运行的电流。 您 MΩ 考虑将总电阻增加至1.2 k Ω 、这样路径中流过的电流至少为10x 1uA。 使用1.2MΩ Ω 的 R14+R15+R16可能会影响 IC 的 OV 功能。 2. 1MΩ …
    • 2 年多前
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  • RE: [参考译文] LM74720-Q1:使用 OVP 功能放大器;降低暗流

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Adam、 理想情况下、我们希望 Vin 与 GND 之间的总电阻、即 R14+R15+R16小于120 kΩ、以确保流经路径的电流为100倍于1uA、这是流入 OV 引脚用于运行的电流。 您 MΩ 考虑将总电阻增加至1.2 k Ω 、这样路径中流过的电流至少为10x 1uA。 使用1.2MΩ Ω 的 R14+R15+R16可能会影响 IC 的 OV 功能。 2. 1MΩ …
    • 2 年多前
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  • RE: [参考译文] LM5185-Q1:空载条件下的高次级电压。

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 好的,我做了以下的顺序: 1-)我删除了最后一次在电路板上添加的220pF 缓冲电容器。 这样就省去了初级侧缓冲电路。 2-)我移除了次级侧的18V TVS 二极管、并将其替换为封装中的1206 2K 电阻器。 3-)我移除了次级侧的0603 10K 电阻器、并将其替换为我手头的小型易碎 SOD 323 16V 0.2W 齐纳二极管、并安装了该封装。 我应用了24V DC…
    • 1 年多前
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  • RE: [参考译文] DLP4710EVM-LC:并行外部模式显示、并行外部模式

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好 Aaron 感谢您的答复。 [250416-Q1] 这些值是仅整数值。 我知道浮点数无法在 TI GUI 工具中使用。 但在我们的硬件条件下、是否也不允许将浮点数字从 FPGA 输入到 DLPC3479? 在我们的系统中、是否绝对需要仅使用整数值? 例如、是否不允许如所附的 CASE2所示使用它? 条件是浮点值大于最短曝光前黑暗时间和曝光后黑暗时间。 [250416…
    • 6 个月前
    • DLP 产品(参考译文帖)
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