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找到 5,062 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
  • RE: bq76pl536的44引脚HSEL和SPI通讯

    Mingmo Zhu
    Mingmo Zhu
    你好,不知道你最近用bq76pl536是否顺利?关于你的问题请见以下回答: 1、bq76pl536的HSEL引脚(=host select),接低电平表示此536是连接主机的,接高电平表示此536不连接主机。因此在串联的3个536中,最底部的536连接主机,因而其HSEL要接低电平;中间和最顶部的2个536不直接连主机,因而其HSEL要接高电平,比如串接100k欧姆电阻连到LDOD。 2、bq76pl536的有效地址处于0x01至0x3e的范围内。0x00专留作复位之后的器件发现之用。0x3f则专留作所有器件的一个广播地址…
    • 12 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
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  • RE: [参考译文] TPS54336A:标题:TPS54336ADDA 低侧 MOSFET Burnout 问题

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 WJZ: 使用 35 μ F 电容器、我认为 SW 上不会发生任何故障。 但是、以下是发生 SW 至 GND 短路的 3 个原因: 因为 SW 电压大于 SW 规格。 另一个是在轻负载期间、如果每当 LS FET 由于高浪涌而导通时负载具有巨大的电容、也可能导致器件损坏 此外、如果 SW 引脚上存在任何 ESD、也会导致更高的 SW 电压、从而造成损坏。 此致、 Haseen…
    • 5 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: [参考译文] UCC256403:检测异常的 MOSFET 栅极电压

    admin
    admin
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好。 我将向您发送您所说器件的测量值。 ch1:SW 节点 Ch2:录像机 CH3:isns Ch4:LO 图 1:完整波形 图 2:SW 节点上升沿 图 3:SW 节点下降沿 怀疑浇口环超过 Vgs (th)。 使用的 MOSFET 为 IPA60R170CFD7 和 V (GS) th = 4V。 调整了栅极电阻、但无法减少振铃。 谢谢你。
    • 5 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] AM62P-Q1:AM62Px:电子保险丝写入定制软件

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 a) 据我所知、引导介质只能通过硬件配置进行切换(不能进行软件切换)。 对吗? b) 假设我在同一引导介质中同时预安装了 Keywriter 和“final SW“、具体流程如下: 1.运行 Keywriter 写入电子保险丝 2.复位 SoC 3.运行“最终软件“(签名) 注意:从步骤 3 开始、SoC 应始终从 “final SW“开始启动。
    • 6 个月前
    • 基于 Arm 的微控制器(参考译文帖)
    • 基于 Arm 的微控制器(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] LMR51450:LMR51450SDRRR 降压转换器输出错误 (7.5V 而不是 1.7V)

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Muhammad、 您获得的 7.5V 输出似乎来自其他地方的短路或泄漏。 因为我已经在 EVM 上重新创建了 BOM、电压为 1.7V。 您是否可以执行以下测试: 1) 将 Vin 从 8V 减小到 0V、并以相同的方式检查 Vout 变化。 2) 检查 SW 到 BOOT、BOOT 到 SW、Vin 到 SW 和 SW 到 Vin 的阻抗。 (基本上双向) …
    • 8 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] LM5137-Q1:四相 LM5137-Q1 同步降压布局和热/EMI 注意事项的设计问题

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Yuming: 1. SW 上的过孔会增加 EMI、通常不建议这样做。 2.是的,注意 SW 过孔的耦合。 但是,如果你有一个铝箱,它应该是可以的。 3、该情况将有助于管理辐射 EMI、因此 SW 过孔更可接受。 4、内层散热效果不是很好。 电感器会通过散热低侧 FET。 此外、请注意、高侧 FET 是热点、因此请使用大量 VIN 铜线。 -- Tim …
    • 5 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
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  • RE: [参考译文] LM5148:LM5148 引脚 19 EN 被烧毁、引脚 14 SW 和引脚 10 GND 之间的电阻为 14.4 Ω、引脚 14 SW 和引脚 15 CBOOT 之间的电阻为 11.8 Ω

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 原理图用于将 DC24V (DC18V-DC36V) 转换为 DC15V 2A。PCB 具有从第 1 层到第 6 层的接线。 LM5148 引脚 19 EN 被烧毁、引脚 14 SW 和引脚 10 GND 之间的电阻为 14.4 欧姆、引脚 14 SW 和引脚 15 CBOOT 之间的电阻为 11.8 欧姆、引脚 15 CBOOT 和引脚 10 GND 之间的电阻为 5 欧姆…
    • 10 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: LM5143: Switch component failure while operating and jumping votage appear in output.

    Stone Creative
    Stone Creative
    Hello, Here's the design calculator and a few videos for your analysis. 0284.LM(2)5143-Q1 quickstart design tool - revB2.zip 1.Load Test . 2.Hiccup OCP 3.Jumping Votage After Failure 4.SW Node In Light Load After Failure 5.Mosfet High Temperatu…
    • 4 个月前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
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  • RE: [参考译文] LMR14030-Q1:5V0(负 5V)电源轨中的振铃

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好: 您看到的部分尖峰将是由于测量误差造成的。 理想情况下、应使用带有弹簧尾的探头、使测量回路尽可能小、以获得最佳精度。 Vout 和 SW 节点之间也会存在一定的耦合量、从而导致尖峰。 为了减少这种情况、可以优化布局 1) 保持 SW 节点金属面积尽可能小 2) 从 Vout 到 FB 电阻梯的布线应远离 SW 节点 3) 保持开关路径尽可能小(VIN-INPUT…
    • 6 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] TLV62568:TLV62568DBVR:帮助填写降额报告所需的信息

    admin
    admin
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的志伟: 感谢您发布您的问题。 此信息可在我们的数据表中找到 (6.1. 绝对最大额定值): 1- Vphase (Volts) AC = SW(交流,小于 10ns)=–3V - 9V 2- NDA 限制信息 3-不适用 4-不适用 5 - Vpwm (Volts)= SW (DC)=–0.3V - Vin+0.3V 6-不适用 此致、 Zakir
    • 5 个月前
    • 电源管理(参考译文帖)
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