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  • RE: [参考译文] BQ24296M：PMIC 开关期间的 EMI 问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 请参阅我的以下建议。 首先、我有一些有关 EMI 抑制元件的建议、您可以考虑添加到原理图中、以帮助降低 EMI。 1) 1) 在 PMID、SYS、VBUS (可选)和 BAT (可选)上添加一个1nF 电容器。 目的是添加该在100MHz 到200MHz 范围内工作的高频电容器、将高频噪声返回到 GND。 2)在 BTST 引脚和 SW 引脚之间添加与 BTST…
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  • RE: [参考译文] BQ24296M：PMIC 开关期间的 EMI 问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 请参阅我的以下建议。 首先、我有一些有关 EMI 抑制元件的建议、您可以考虑添加到原理图中、以帮助降低 EMI。 1) 1) 在 PMID、SYS、VBUS (可选)和 BAT (可选)上添加一个1nF 电容器。 目的是添加该在100MHz 到200MHz 范围内工作的高频电容器、将高频噪声返回到 GND。 2)在 BTST 引脚和 SW 引脚之间添加与 BTST…
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  • RE: [参考译文] BQ24296M：PMIC 开关期间的 EMI 问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 请参阅我的以下建议。 首先、我有一些有关 EMI 抑制元件的建议、您可以考虑添加到原理图中、以帮助降低 EMI。 1) 1) 在 PMID、SYS、VBUS (可选)和 BAT (可选)上添加一个1nF 电容器。 目的是添加该在100MHz 到200MHz 范围内工作的高频电容器、将高频噪声返回到 GND。 2)在 BTST 引脚和 SW 引脚之间添加与 BTST…

  • [参考译文] J784S4XEVM：勘误表查询

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1403886/j784s4xevm-errata-queries 器件型号： J784S4XEVM 工具与软件： 您好！ 我将介绍 TI-j784S4的勘误表、并想确认以下几点。 https://www.ti.com/lit/er…
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  • RE: [参考译文] TPS65261：高侧/低侧 MOSFET 的交流技术规格

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Lien： 感谢您的联系。 请尝试以下操作： (1)您能否再次确认它们的开关节点测试点和测量方法？ 若要正确测量 SW 节点上的电压、使用正确的测量技术非常重要。 为实现最精确的无噪声测量、建议使用最小环路方法和全带宽测量 SW 波形。 只需从探头尖端取下耳罩、然后在探头筒上缠绕一根导线以实现接地连接。 这通过缩短接地回路的长度来最大限度地减小电感。 (2)请尝试使用10Ω…
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  • RE: [参考译文] LM5116：芯片毛刺

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你(们)好，CSC 请检查 IC 是否正常工作。 按照以下顺序检查引脚电压：1) VIN、2) EN、3) UVLO 4) VCC、5) SS、6) COMP 和7) SW。 2.请检查指示灯是否损坏。 －Eric Lee
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  • RE: [参考译文] LM51772：LM51772RHAR — 线圈温度高和电压调节不正确

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 下面是示波图 VIN DC：19、9V/ VOUT DC：22、97V SW1/SW2 COMP（黄色） DC：0、8V /SS（蓝色）DC：3、7V 假设如下： VIN：10-36V VOUT：24V IMAX：~7A 示波图显示了无负载的情况（每个 LED 仅限 2mA）、软件设置 PCM = 5% 此外、系统温度高达 100 摄氏度、线圈温度也是如此…
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  • RE: [参考译文] TPS543B20：输出端漏电无法上电

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Oliver、Boyan： 我们认为、这个问题仍然与早期高侧 FET 过流 故障有关、尽管 移除铁氧体磁珠后 VDD 和 VIN 的信号更接近(请参阅 上一主题 )。 预偏置输出电压会将自举电容器上的电势差降至3.6V、并且高侧 FET Vgs 会相应降低。 Vgs 较低时、高侧 FET 的 Rdson 增加到 高于规定的数据表值、 最终导致高侧过流保护比预期更早跳闸。 在数据表…
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  • [参考译文] LMR23610：仿真帮助

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1317425/lmr23610-simulation-help 器件型号： LMR23610 大家好、我对 TINA 和 Spice 模型有几个问题： LMR23610A 未加密同相和反相 PSpice …

  • [参考译文] AM62P-Q1：LPDDR4配置设置

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/processors-group/processors/f/processors-forum/1497218/am62p-q1-lpddr4-configuration-settings 器件型号： AM62P-Q1 工具/软件： 我们迫切需要澄清! LPDDR4配置设置查询。 我们向 Micron 发送了一个装有 MT53E256M32D1KS…

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