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找到 261 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • RE: CHEM ID的计算方法

    你好。我用bq27541 log了一份数据，请帮忙我算一下chem-id可以吗？另外可以告诉我怎么把这个我发给你的表格做成符合mathcad要求的表格吗？
    • 27541-5200mAH.xls

  • BQ27546-G1: BQ27546的PassedCharge寄存器数据在放完电，静置的时候发生跳变

    Part Number: BQ27546-G1 目前我们在使用BQ27546的时候，循环测试的时候，发现电池达到充电截止条件的时候，SOC会从97%直接跳变为100%，分析数据会后发现，PassedCharge寄存器在放电完成，静置的时候，会发生跳变。附件中的数据是从4680跳变为4979(excel中的68218行和68219行)，导致电池在下一次充电的时候，SOC从0%到1%会持续相当长的时间，导致在充电末端SOC从97%跳变到100%。在此想请教一下， PassedCharge寄存器在静置期间跳变的原因…

  • RE: BQ40Z80: BQ40Z80: Golden Learning 进行不下去

    第2次循环，记录了这个，您看是否可以 0042.log.xlsx

  • 关于KeyStone2 TCI6636芯片，DDR3B接口未能初始化，CCS6访问异常。leveling不通过的问题

    hi TI experts： 我目前使用关于TCI6636（K2H）的DDR3B接口，芯片上DDR3A接的是IS43TR16512A-125KBLI型号4G的芯片，DDR3B接的是MT41K256M16TW-107，大小为2G的内存。均64bit连接,没有ECC。目前DDR3A可以访问0x80000000，而且DSP利用map寄存器也可以访问另外4G的内容。但是DDR3B目前我无法正常访问，配置好DDR3B后，CCS6一访问内存0x60000000的地址IDE环境就挂掉了。 根据TI的SPRS835F手册…
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  • 回复: TMS320F2407A cmd文件

    已解决
    见附件的附录A 整个文档也可以学习一下。
    • Getting Started in C and Assembly Code With the TMS320LF240x DSP【spra755a】.pdf
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  • RE: [参考译文] MSP432P401R：为通道重复序列配置 DMA 和 ADC

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Chris、 我已经阅读了这两个建议、并尝试应用 这篇文章中的想法、 签署了散聚方案、然而、测试表明在 ADC 存储器和缓冲器 ADCresults 之间没有进行传输。 我不确定我的任务列表是否太大或是否存在另一个问题。 下面是完整代码。 感谢您的关注、很抱歉我迟到了回复、 圣保罗 // // MSP432P401演示- ADC14、重复转换序列 // 说明：此示例展示了如何…

  • RE: BQ40Z50-R1: change Trem V

    hi Star, 目前使用方式有按造2.3.5要求進行 電池容量4040mAh 改設定Design Capacity mAh = 2880, Design Capacity cWh = 1036cWh (以上設定為預估客戶的使用容量變成4.2V ~ 3.45V ) 充電4.2V/1A/cut off 120mA 放電使用0.28C (0.808A) to 3450mV 仍無法更新Qmax / FCC / 另RSOC 在充放電中3.7V以上才開始進行計算以下為本次的log data 2022-12-28_3450…

  • bq27510 预留电量过大的问题

    HI ， 请教各位。 我们正在使用bq27510，经贵司代理商给测试的chem-id。 电池：4.2V 2个cell 容量：3000mAH 版本：G4 使用贵司提供的配置，校准等流程，最终获取到量产文件。 然后我们烧录量产文件，做电池恒流放电实验。 方式：先将池使用实验仪器放电到过放，再使用设备（我司的设备，已经烧录了量产文件）将其充满电。 再次放电时，将实验仪器设为恒流1000mA等条件，一直放电到过放。 结果如附件所示，发现确实放到3小时。但有如下几个问题出现： 1 充满之后放电有200mAH的误差…
    • old.xls

  • BQ34z100-G1 脉冲放电RSOC 跳变问题

    Other Parts Discussed in Thread: BQ34Z100-G1 用BQ34z100-G1 做8S1P 电池项目，Cell 容量为3350mAH,要求放电条件1.9S 3A 0.1S 10A 脉冲，和冲击温度0C到-20C，已按《Golden GG Maker and Resistance Temperature Compensation Optimizer》分别使用25C环境 1.9S 3A 0.1S 10A 脉冲放电和冲击温度0C到-20C 环境1.9S 3A 0.1S…

  • 回复: 轻松秀一下，MSP430 LaunchPad 等你拿！

    我也是刚学完51，准备学msp430.且已经在TI申请了几块msp430的芯片。需要模拟器
    • msp430f2618.pdf

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