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  • RE: [参考译文] DRV3901-Q1：SPI 数据帧灵活性

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Aishwarya： 1)是的、只要 CS 保持低电平、您就可以背对背 SPI 传输 2) CRC 也由微控制器计算。 请参阅 EVM 固件以查看实施详细信息。 3)是的 4)只要你不违反任何这些时序参数,这应该是好的: 此致、 Keerthi

  • RE: [参考译文] AM2432：使用跳线 QSPI 闪存进行 UART 刷写时遇到问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Hang： 将 Cs 下拉意味着什么？ 您是否将 CS 从闪存连接到 SoC？ 它在 EVM 和 Launchpad 上运行是否正常？ 此致！ 丹尼尔
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  • RE: [参考译文] AM625：SPI NOR 闪存驱动程序

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 亲爱的汤姆 感谢您提供更多详细信息。 配备 OSPI 闪存的 SK-AM62-LP 上没有类似的问题。 请通过以下方式帮助办理登机手续。 1.在 CS/CLK/D0/D1/...上捕获波形。 来进行比较。 2.请帮助转储您电路板上的 OSPI0 控制器寄存器和 SK-AM62-LP EVM 以进行比较。 TRM： ... 非常感谢！ Yong
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  • RE: [参考译文] ADC122S021：CS 下降沿后立即使用输入通道

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Samiha-San： 我的客户在 CS 变为低电平后立即看到在前一个周期中选择的 IN2输出。 您可以再次核对一下 EVM 上的答案吗？ 3VDC 是 IN1输入、0V 是0V 输入。 我的客户希望 逐周期切换 CS、以解决位移问题。 在这种情况下、我的客户是如何读取 IN2数据的？ 是否建议忽略 CS 变为低电平后的第一个周期？ 此致、 伊藤和树
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  • [参考译文] ADS127L18EVM-PDK：无法将 SPI 与套件连接。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/data-converters-group/data-converters/f/data-converters-forum/1532237/ads127l18evm-pdk-unable-to-interface-spi-with-the-kit 器件型号： ADS127L18EVM-PDK 工具/软件： 嗨、团队 我正在使用…
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  • [参考译文] IWRL6432BOOST：关于电路板 IWRL6432BOOST EVM 的信息不明确

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    Other Parts Discussed in Thread: IWRL6432BOOST 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/sensors-group/sensors/f/sensors-forum/1646432/iwrl6432boost-unclear-information-on-the-board-iwrl6432boost-evm 器件型号： I…
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  • RE: [参考译文] ADS1299EEGFE-PDK：ADS1299FE 子板与 Arduino 之间的供电和通信

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ryan！ 我 根据第2.5节使用了默认设置、通过 J18的电流跳线设置(如上图所示、即 JP18中的引脚2-3短接)、我可以获取 EVM 上寄存器的默认值。 但是、当我尝试通过 Arduino UNO 的 SPI 读取寄存器时、我得到的是 FF。 我浏览过各种 TI 论坛帖子、但未能为我找到解决方案。 这是我正在使用的 Arduino 库: https://github…
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  • RE: [参考译文] AM625：用于 NOD、SRAM 和 FPGA 的 AM6254 GPMC

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 大家好，我已经像这样配置了计时寄存器： SRAM@2.0｛ 兼容="ti, fram"； PHY_BASE =<0x51000000>； max_size =<0x40000>； #address-Cells =<1>； #size-cells =<1>； reg =<2 0 64>；/*器件 IO 寄存器*…

  • RE: [参考译文] MSPM0L1105：MSPM0L1105：外设模式下的 SPI CS PIN

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Michel、 我查看了原理图、并注意到 VDD 和 VSS 上没有大容量电容器。 建议值为 10uF。 目前只有 100nF (0.1uF) 去耦电容器。 您能分享一下如何测量波形吗？ 特别是设置和测试环境。 MOSI 线看起来也限制为~2.4V。 另外、可能也值得共享您的布局。 这应包含在发送到您本地 TSR 或 FAE 的原理图中。 您是否曾尝试在 EVM…
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  • RE: [参考译文] LM5143：PMP31210中的 D3/D4/D7/D8有什么用

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Ken： D3是一款反并联肖特基二极管、有时安装在降压稳压器设计中、以在死区时间内导通。 但是、此控制器的死区时间很短(15ns)、因此不需要包含此二极管(例如、请参阅 EVM)。 R12是 CS 滤波电阻。 不应安装 R13或0Ω、因为 VOUT 引脚中有一个偏置电流会干扰 CS 电路。 —— TIM

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