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  • [参考译文] CSD13381F4：什么 TI NMOS 具有最低的 IDSS 并采用手工焊接封装？

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD13381F4 , CSD13380F3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1393620/csd13381f4-what-ti-nmos-has-the-lowest…
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  • RE: [参考译文] CSD13381F4：当上部 FET 关闭时、VGS 为-0.6V

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、John： 感谢您的答复。 这解决了我的问题。 请关闭此案例。 此致、 盖伊
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  • [参考译文] BQ2970：低电流应用

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD13381F4 , BQ2980 , BQ2982 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1178179/bq2970-low-current-application 器件型号…
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  • [参考译文] CSD13380F3：适用于 TI 的 PSpice

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD13381F4 , CSD13380F3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1174765/csd13380f3-pspice-for-ti 器件型号： CSD133…
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  • RE: [参考译文] CSD13381F4：二极管正向电压的温度曲线

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好汤米， 感谢您对 TI FET 的关注。 我在产品开发过程中收集的唯一数据为 ID = 1mA。 请参阅下面创建的图表。 这是3批样品的体二极管的平均正向电压。 这是我能提供的最好的。 e2e.ti.com/.../CSD13381F4_5F00_VSD_5F00_vs_5F00_TEMP.pdf 此致， 约翰·华莱士 TI FET 应用
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  • [参考译文] CSD1.3381万F4：偏移问题

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    Other Parts Discussed in Thread: TINA-TI 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1096735/csd13381f4-offset-issue 部件号： CSD1.3381万F4 主题中讨论的其他部件…
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  • [参考译文] BQ2973：在电流非常低的系统中挑选 MOSFET，Vds 仍为25V？

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ25175 , CSD13381F4 , BQ2973 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1045220/bq2973-picking-a-mosfet-in-a-very…

  • RE: [参考译文] BQ76930：在 TIDA-00449参考设计 PCB 中使用时、BQ76930 IC 引脚 VC1/VC10电池监控损坏

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我们已经整理了 CSD13381F4 (Q1……至……)的一些更改 Q11)备用 512-FDN359AN ( https://www.mouser.in/ProductDetail/?qs=Ijcsu5GIqwK48K3LmbFQcA== ) SSOT-3 是否有问题？ ICB 电池平衡电流(每节电池) bq76920 70mA、bq76930、bq76940 5mA
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  • RE: [参考译文] CSD13381F4：开关与放大器；多路复用器论坛

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Rita、 感谢您关注 TI FET。 我们的一些用于负载开关或电池保护 FET 的较小器件包含栅极-源极 ESD 保护、可用作单端二极管或背对背二极管。 CSD13381F4具有单端 ESD 保护结构、该结构通过> 4kV HBM 和> 2kV CDM、并且具有极低的泄漏电流。 需要注意不要施加负 VGS 以避免二极管正向偏置。 有关 TI FET 中栅极…
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  • RE: [参考译文] CSD17382F4：背靠背 ESD 保护

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Christelle、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD17382F4栅极 ESD 结构可视为两个串联二极管、这两个二极管具有共阴极、其中阳极连接到栅极、阳极连接到源极。 无论栅极和源极之间的电压极性如何、一个二极管始终会反向偏置并阻止电流流动。 在 ESD 事件期间、该结构充当背靠背齐纳二极管、钳制栅极-源极电压以保护栅极氧化物。 如您所知、如果源极电压高于栅极电压…

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