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  • RE: [参考译文] CSD13381F4：当上部 FET 关闭时、VGS 为-0.6V

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、大家好！ 感谢您关注 TI FET。 如果 U30的源(VDDQ_TRIM)高于其栅极(VDDQ_MARGIN_DOWN)、则会对单端栅极 ESD 保护二极管进行正向偏置。 在同一封装中、我们有两个替代方案 CSD17382F4和 CSD13383F4、它们使用背靠背 ESD 结构来防止这种情况的发生。 背靠背结构会导致更高的泄漏(IGSS 和 IDSS)、并且这些器件的1k…
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  • [参考译文] N 沟道 MOSFET 建模

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    Other Parts Discussed in Thread: INA149 , CSD13383F4 , TINA-TI 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design…
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  • RE: [参考译文] CSD13383F4：面对组件焊接问题

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Anushree 您好， 感谢您对 TI FET 的关注。 请参阅以下链接中的 FemtoFET SMT 指南。 确保遵循 TI 在数据表和应用手册中推荐的印刷电路板封装。 如果您还有其他问题，请告诉我。 https://www.ti.com/lit/slra003 此致， 约翰·华莱士 TI FET 应用
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  • RE: [参考译文] CSD13383F4：设置新宏向导时出现语法错误

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Stephen、 感谢您关注 TI FET。 我尝试创建一个宏、但遇到了同样的问题。 某些注释在文本之前似乎未使用*、因此在创建宏时会忽略它。 我已更正此问题并为此模型附加了一个新的 PSpice .lib 文件。 我成功地在 TINA-TI 中创建了一个新的宏。 此致、 John Wallace TI FET 应用 e2e.ti.com/.../csd13383f4…

  • RE: [参考译文] 使用 IC 打开或关闭12个3V 1A LED

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 借助 TPIC6A595‍、您将需要每个 LED 具有三个并联输出以达到1A、并需要一个电平转换器以获得5V 输入信号。 您可以使用单独的驱动‍器、例如四个 TPL7407LA、每个 LED 具有两个并联输出。 或者、每个 LED 使用一个分立式 MOSFET (例如 CSD13383F4)。 如果您需要少于8个控制信号、请使用一个解码器(例如 SN74HCS238)或移位寄存器…

  • CSD13383F4 表面丝印不一样，是同一个型号吗？一个是0GC 和 9GC

    Other Parts Discussed in Thread: CSD13383F4
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  • RE: [参考译文] CSD13383F4：CSD13383F4：制造中的冷接头

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 John： 感谢你的帮助。 我将通过电子邮件直接与您联系。 BR。
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  • RE: [参考译文] CSD13383F4：如何在此应用中最大限度地降低功耗？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Lauren、 我将关闭该线程。 如果您有任何其他问题、请通过定期电子邮件联系我。
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  • RE: [参考译文] CSD13385F5：MOSFET 基础知识：该 FET 如何仅具有单向栅极-源极二极管？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Carl、 TI 制造具有单端和背对背(您习惯看到的) ESD 保护二极管的 FET。 有关 B2B 二极管的示例、请参阅 CSD13383F4。 B2B 二极管的主要缺点是栅源泄漏电流要高得多。 这可能是电池供电系统的一个缺点、因为它可以在待机状态下更快地对电池放电。 对于单端二极管、需要注意的主要问题是可能导致栅源极二极管正向偏置的任何情况。 您可能会注意到、对于单端实现…
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  • RE: [参考译文] CSD13383F4：有人能告诉我器件上打印的字母/数字代表什么吗？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Neal、 感谢您发帖、此 CSD13383F4上的器件标识是 YGC、其中 Y 是年份、GC 代表 CSD13383F4器件型号。 在本例中、器件来自2017年、GC 说它是 CSD13383F4。 圆点是引脚1指示符

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