Other Parts Discussed in Thread: CSD15380F3 , CSD13385F5 , CSD13380F3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/986076/csd15380f3-leakage-curre…
Other Parts Discussed in Thread: CSD16570Q5B , CSD15380F3 , CSD13385F5 , CSD13380F3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/980465/csd16570q5b…
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Other Parts Discussed in Thread: CSD13385F5 , CSD87313DMS 查看了很多款功率NMOS，比如CSD87313DMS、CSD13385F5等型号，参数列表中只给出了VGS=4.5V、VDS=6V、IDS=0.9A等固定值情况下的栅极电荷量，当我的MOS工作状态不在这个情况下，我不知道我的驱动电路瞬间电流能不能驱动NMOS打开，这时的栅极电荷量该怎么计算呢？有计算公式或者工具吗？
Other Parts Discussed in Thread: CSD17585F5 查看了很多款功率NMOS，比如 CSD87313DMS 、 CSD13385F5 等型号，参数列表中只给出了VGS=4.5V、VDS=6V、IDS=0.9A等固定值情况下的栅极电荷量，当我的MOS工作状态不在这个情况下，我不知道我的驱动电路瞬间电流能不能驱动NMOS打开，这时的栅极电荷量该怎么计算呢？有计算公式或者工具吗？
