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  • RE: [参考译文] CSD15380F3：泄漏电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Mark、您好！ 感谢您的查询。 我们的 FET 数据表中指定的泄漏电流 IGSS 和 IDSS 在25°C (而非125°C)下工作。 泄漏电流具有正温度系数。 请参阅此 技术文章中的图4和图5 、其中显示了我们的一些 FET 的泄漏如何随温度变化。 一般而言、我们的所有 FET 都具有类似的特性。 具有最低额定泄漏电流的 FET 包括 CSD15380F3、CSD13380F3和…
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  • RE: [参考译文] CSD15380F3：漏源电流泄漏

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我应该补充的是、具有最低额定 IDSS 的 FET 是 CSD15380F3、CSD13380F3和 CSD13385F5。 此致、 John Wallace TI.com 上的 MOSFET 技术信息
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  • [参考译文] CSD16570Q5B：泄漏电流

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD16570Q5B , CSD15380F3 , CSD13385F5 , CSD13380F3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/980465/csd16570q5b…
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  • RE: [参考译文] CSD17318Q2：CSD17318Q2

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Murthy、 感谢您的更新。 您可以与我分享您的原理图吗？ 如果您不想在此公共论坛上共享、请向我发送一份朋友请求、一旦我接受、您就可以在私人消息中共享原理图。 您能告诉我 FET 的电流和电压要求以及栅极驱动电压吗？ TI 确实有一些非常小的 FET、例如 CSD15380F3和 CSD17381F4、它们的泄漏规格较低、可能适合您的应用。

  • [参考译文] CSD15380F3：低输出电容 FET 的外观

    Other Parts Discussed in Thread: CSD15380F3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/894985/csd15380f3-looking-of-a-low-output-cap-fet 器件型号： C…
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  • RE: [参考译文] CSD15380F3：用作电平转换器？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Ben、 感谢您的查询。 对于工作应用、我要提醒您、指定 RDS (on)的最小 VGS 为2.5V。 您将栅极上拉至1.8V、小于2.5V。 如果您查看数据表中的图7、可以看到这是曲线的陡峭部分、其中 RDS (on)随着 VGS 的降低呈指数级增长。 幸运的是、您不会驱动任何大电流、因此您可能不会在此应用中看到任何问题。 然而、由于工艺变化而导致阈值电压的微小变化可能会导致…
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  • RE: [参考译文] LMZ31503：用于抑制引脚的 MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Karthik、 是的、可以使用 CSD15380F3。 其他要点 在 UCD90320U 数据表中、我没有看到这个 GPIO 泄漏规格。 我提到了另一个使用另一个 UCD 监控器/序列发生器的参考设计、其 GPIO 可直接连接到 LMZ31503抑制、而不会出现任何问题。 UCD90320U 泄漏电流似乎很高、但如果正确、则使用 CSD15380F3是一个不错的选择…
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  • RE: [参考译文] 在开关选择方面需要帮助

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Pragash、 感谢您的查询。 正如 Clemens 所指出的、TI 拥有许多模拟开关产品。 我是功率 MOSFET 产品线的应用工程师。 信号需要多大的电流？ 这是小信号应用还是电源开关应用？ 我们确实制造了一些非常小的 N 沟道 FET、例如可能需要关注的 CSD13380F3和 CSD15380F3。
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  • RE: [参考译文] CSD15380F3：CSD15380F3的解密 SPICE 模型

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Vlad、 感谢您对 TI MOSFET 的持续关注。 我刚刚向您发送了一封私人邮件中的模型、并将关闭此主题。
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  • RE: [参考译文] CSD15380F3：泄漏电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 何罗杰 感谢您关注 TI MOSFET。 我们可以保证的唯一 IDSS 泄漏值是在数据表中指定的条件下的值：VGS = 0V、VDS = 16V、T = 25C、IDSS <= 50nA 最大值。 在 Vds = 5V 时、我们有3个批次的样本的特性数据、平均值@ 25C 约为1nA、最大测量值< 10nA。 请注意：IDS 具有正温度系数。 例如、平均值@ Vds = 5V…

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