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  • [参考译文] TPS43060：FET 控制

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17575Q3 , CSD16340Q3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1425016/tps43060-fet-control 器件型号： TPS43060 主题中讨论的其他器件…
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  • RE: [参考译文] CSD16340Q3：请帮助提供 HBM 和 CDM 数据。 用于折页器件

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，Chaohsiang， 感谢您关注 TI FET。 有关您提供的 FET 列表、请参阅下表和 ESD 通过电压。 CSD25402Q3AT 和 CSD16340Q3T 是与非 T 器件型号相同的 FET、卷带尺寸更小。 产品代码 HBM 导通电压 CDM 导通电压 CSD13202Q2 350V 1500V CSD16340Q3…
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  • [参考译文] TPS40304：TPS40304设计审查和 MOSFET 替代产品。

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17308Q3 , CSD16301Q2 , CSD16340Q3 , TPS40304 , CSD13202Q2 , TPSM82866A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum…
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  • [参考译文] TPS24701：请查看原理图

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS24701 , CSD16340Q3 , TPS56628 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1019280/tps24701-please-review-the-…
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  • RE: [参考译文] CSD16340Q3：CSD16340Q3

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Joseph、 再次感谢您关注 TI FET。 质量报告已通过私人消息发送给您。 我要关闭此主题。
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  • RE: [参考译文] CSD17578Q3A：您能告诉我 CSD17578Q3A/CSD16340Q3/CSD87350Q5D ESD 性能(HBM、CDM)吗？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Kazuya、 感谢您关注 TI FET。 在下面、您可以找到您请求的 ESD 信息。 遗憾的是、TI 通常不会将其发布在数据表中。 CSD17578Q3A 通过600V HBM 和2000V CDM 测试 CSD16340Q3通过150V HBM 和2000V CDM 标准 CSD87350Q5D 通过了500V HBM 和2000V CDM 标准
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  • RE: [参考译文] CSD18543Q3AT MOSFET

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Tareq、 感谢您关注 TI FET。 CSD18543Q3A 导通电阻的额定 VGS 最小值= 4.5V。 您必须提供 VGS >= 4.5V、否则我们无法保证 FET 的导通电阻。 如数据表第1页的 RDS (on)与 VGS 曲线所示、当 VGS < 4.5V 时、RDS (on)呈指数级增长。 除非您有5V 电压来驱动 FET 的栅极、否则我恐怕无法快速解决问题…
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  • [参考译文] WEBENCH®︎工具/LM5121-Q1：器件选择

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD16340Q3 , BQ24640 , CSD17577Q3A , LM5121-Q1 , LM5121 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation…
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  • [参考译文] CSD16340Q3：人体放电模型(HBM)额定值

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD25404Q3 , CSD19532Q5B , CSD16301Q2 , CSD16340Q3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/823318/csd16340q3-human…
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  • RE: [参考译文] WEBENCH®︎工具/TPS40304：如何更改 FET 选择以使用预定义列表中未提供的替代 TI FET 组合？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ryan、 感谢您分享设计链接。 对于共享输入条件、MOSFET "CSD16340Q3" 应使用数量为1的电源(用于高侧和低侧)。 但由于功率损耗、价格和面积相对较高、这些 FET 在 Webench 上的排名较低。 由于我们在 Webench 上展示的备用 FET 数量受限、因此您将无法在列表中找到这些 FET。 此致、 Bhushan

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