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  • RE: [参考译文] CSD16570Q5B：适用于高电流应用的 MOSFET 拓扑

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Bhuvaneshwari、 CSD16570Q5B 不适合降压转换器等快速开关应用、而出色的低电压高电流类型解决方案是前文提到的参考设计相关产品中的器件。 我要将此主题重定向到该小组、因为我认为他们最能帮助您满足600A 低电压要求。 业界使用多相同步降压方法来应对这些高电流快速开关/瞬态类型的应用。 如果您不熟悉多相降压转换器、TI 在这里写了一篇文章： https:…
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  • [参考译文] CSD17308Q3：它是否可以支持 VDS = 20V、持续 ID = 4A 的应用？

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17308Q3 , CSD16570Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1357656/csd17308q3-can-it-support-the-application…
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  • RE: [参考译文] 选择适合高电流应用的 MOSFET。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Bhuvaneshwari、 感谢您关注 TI FET。 TI 产品系列中的最低 Rds (on) FET 为采用5x6mm SON 封装的 CSD16570Q5B、25V NFET。 此封装能够实现约3W 的最大功率耗散。 我估计、若要传导600A 电流、至少需要并联10个 FET。 每个器件的估算导通损耗约为2.2W、这在封装的能力范围内。 FET 中的总损耗约为22W…
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  • RE: [参考译文] CSD16570Q5B：CSD16570Q5BT 直接替代产品

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Nikesh、 感谢您关注 TI FET。 CSD16570Q5B 和 CSD16570Q5BT 是相同的器件。 唯一的差异是卷带上的数量。 CSD16570Q5BT 是一种250件的小卷带、CSD16570Q5B 是一种每卷带2500件的大卷带。 没有 CSD16570Q5。 此致、 John Wallace TI FET 应用
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  • [参考译文] UCC2.878万：5V，10A设计采用UCC2.878万

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    Other Parts Discussed in Thread: ATL431 , TL431 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1086078/ucc28780-5v-10a-design-using-ucc28780 部件号： UCC2…
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  • RE: [参考译文] CSD16570Q5B：泄漏电流

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Bhargav、您好！ 感谢您的跟进。 很抱歉、我之前的回答不满意。 我从产品开发期间收集的特性数据中生成了 CSD16570Q5B 随附的 IDSS 与温度间的关系图。 这仅供参考、不能保证性能。 TI 只能在数据表中指定的 VGS = 0V、VDS = 20V 和 TA = 25C 时保证 IDSS < 1uA。 此外、请记住、该 FET 针对静态开关应用进行了优化、例如热插拔…
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  • [参考译文] CSD16570Q5B：CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B 引脚对引脚器件搜索

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD16570Q5B , CSD17570Q5B , CSD16556Q5B , CSD17573Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1008373/csd16570q5b…
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  • [参考译文] CSD25402Q3A：为我的应用寻找合适的 MOSFET。

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD25402Q3A , CSD25404Q3 , CSD16570Q5B , CSD17570Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/963666/csd25402q3a…
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  • RE: [参考译文] CSD19501KCS：申请 CSD19501KCS、CSD16570Q5B、CSD87350Q5D 的 ESD (CDM、HBM)

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ivan、 感谢您的查询。 您将在下面找到您请求的 ESD 信息。 CSD19501KCS 通过了1750V HBM 和2000V CDM。 CSD16570Q5B 通过2750V HBM 和2000V CDM 标准。 CSD87350Q5D 通过了500V HBM 和2000V CDM 标准。
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  • RE: [参考译文] CSD16570Q5B：为什么 CSD16570Q5B 不是为开关应用而设计的？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ocean、 感谢您关注 TI MOSFET。 CSD16570Q5B 针对热插拔和 OR'ing 应用进行了优化、在这些应用中、器件会导通并长时间保持导通状态、以便向下游负载(通常为直流/直流转换器)传导大电流。 因此、该器件旨在实现最低的 RDS (on)、从而更大限度地减少传导损耗。 不建议将其用于开关模式应用的原因有以下几个： 栅极电荷和电容非常大(VGS = 10V…

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