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  • [参考译文] CSD17313Q2：IBIS 模型

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1424109/csd17313q2-ibis-model 器件型号： CSD17313Q2 工具与软件： 我需要使用模型、因为在 Altium 中进行信号完整性分析需要使用它们。 该项目包含一个用于电池管理系统的…
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  • [参考译文] BQ24170：VSYS 和 VBAT 最大电流

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD17318Q2 , BQ24170 , CSD17313Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1325630/bq24170-vsys-and-vbat-maximum…
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  • RE: ADS54J66: ADS54J66

    已解决
    您好，抱歉，我可能没描述清楚，是差分输入阻抗0.5kΩ，如下图。 2：参考的评估板ADC前端电路是这个（如下图），这个电路中哪部分是起到了阻抗匹配的作用，可以详细解释下吗！ 3：（附件是具体的TI评估板原理图文件（www.ti.com.cn/.../sbac155）,及我的前端电路ADS仿真文件） ADS54J66_ADS58J63_ADS58J66-SCH_A.pdf ADS54J66_wrk.zip
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  • [参考译文] BQ24171：功能说明

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD17313Q2 , BQ24171 , BQ28Z620 , CSD25402Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1230318/bq24171-functionality…
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  • RE: [参考译文] UCC27611：上升和下降时间

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我短接了 VDD 和 Vref、结果有所帮助。 现在、我在10ns 内实现了干净的峰间上升和下降。 我认为、最终 我 遇到的上升速度较慢的问题不是 UCC27611驱动器的故障、而是与我要使用的 GaN FET 的选择相关。 遗憾的是、我仍然看到 GaN FET 的导通时间较慢(20ns)。 关断时间约为5ns、非常好。 我之前一直使用 CSD17313Q2 MOSFET 来满足我的开关需求…
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  • [参考译文] CSD1.7313万Q2：VGS (TH)规格：5V驱动优化？

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1100838/csd17313q2-vgs-th-specification-5v-drive-optimized 部件号： CSD1.7313万Q2 主题中讨论的其他部件： CSD1.7318万Q…

  • ADS54J40EVM: ADS54J69EVM评估板测试DC耦合方式时需要做什么修改？此ADC芯片能否应用DC耦合输入的方式？

    TI 认为已经解决
    Part Number: ADS54J40EVM Other Parts Discussed in Thread: ADS54J60EVM , , ADS54J69 要实现DC耦合输入的方式，对电路连接的修改是否是：断开R7，用o ohm电阻连接R4、C3即可？以下附件是评估板的原理图以及实物图： ADS54J40EVM_ADS54J60EVM-SCH_D.pdf
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  • RE: [参考译文] CSD17313Q2：CSD173113Q2导通与 PSpice 间的关系

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Stephen： 我不知道在不同 VDS 值下预测米勒平坦电压的方法。 我需要对此进行研究。 我们确实将电容的模型结果与产品开发期间收集的特性数据进行了比较。 我想将此讨论移至常规电子邮件中。 我将向您发送一封电子邮件。 谢谢、 John Wallace TI FET 应用

  • CSD17313Q2: 使用CSD17313Q2控制元器件开关时，开关多次后CSD17313Q2损坏，D极和S极短路。

    TI 认为已经解决
    Part Number: CSD17313Q2 Other Parts Discussed in Thread: DRV103 使用CSD17313Q2控制隔膜泵和紫外灯整流器开关时，开关几十次后CSD17313Q2损坏，D极和S极短路。 隔膜泵和紫外灯镇流器的功率均为24V/500mA 左右，规格书中CSD17313Q2的最大功率可达30V/5A 请问可能是什么原因导致了 CSD17313Q2的损坏?
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  • RE: [参考译文] CSD17313Q2：MOSFET 变热

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Siddharth、 感谢您的更新、如果有进一步的帮助、请告诉我。 此致、 John

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