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RE: [参考译文] CSD17313Q2Q1:建议采用符合 AEC-Q101标准的 N 沟道 MOSFET
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Allen、 我忘了说、我们确实有非 AEC-Q101替代产品 CSD17312Q2。 谢谢、 John
1 年多前
电源管理(参考译文帖)
电源管理(参考译文帖)(Read Only)
Answered
RE: [参考译文] TPS51216-EP:OVP、UVP 和稳压问题
admin
已解决
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Daniel、您好! 我可以向您发送电路、但原理图是 ITAR、所以让我们离线处理。 我也可以向您发送布局。 但是、它与 TPS51216-EP 数据表的图34 (DDR3、400kHz 应用电路、跟踪放电)相同、但有以下差异: VIN 为5V 我们只有一个低侧 FET 3.Q1和 Q2为
CSD17313Q2Q1
将 VDDQ 设置为1.35V 而不是1.5V、R5为30…
4 年多前
电源管理(参考译文帖)
电源管理(参考译文帖)(Read Only)
官网的资料与提供的文件IC信息不一致,希望核实改进~
user4986719
TI器件.pdf
6 年多前
电源管理
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