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  • RE: [参考译文] CSD17318Q2：资质审核报告

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Danilo、 我联系了可靠性工程师。 这是我们为 CSD17318Q2提供的唯一质量报告。 请让您的客户查看该报告、因为它包括批次数量、样本大小、小时(或周期)和故障(如果有)。 这一切都在报告中。 此致、 John
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  • [参考译文] CSD87502Q2：需要 θJC 参数

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD85301Q2 , CSD87502Q2 , CSD17318Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1075321/csd87502q2-need-jc-para…
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  • [参考译文] CSD85301Q2：热阻

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD85301Q2 , CSD17318Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1070565/csd85301q2-thermal-resistances 部件号： C…
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  • RE: [参考译文] CSD17318Q2：米勒平坦区的 VGS

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Taro-San、 感谢您关注 TI FET。 您应该可以在 VGS = 2.5V 的情况下驱动 CSD17318Q2。 您应始终提供一个栅极驱动电压>= VGS 的最小值、其中数据表中指定了导通电阻。 CSD17318Q2导通电阻的额定电压低至最低 VGS = 2.5V。 TI 未在生产中对米勒平坦区进行规格或测试。 数据仅在产品开发期间收集。 器件间和批次间会有一些差异…
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  • [参考译文] CSD1.7313万Q2：VGS (TH)规格：5V驱动优化？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1100838/csd17313q2-vgs-th-specification-5v-drive-optimized 部件号： CSD1.7313万Q2 主题中讨论的其他部件： CSD1.7318万Q…
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  • [参考译文] CSD17318Q2：认证摘要

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17318Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1012262/csd17318q2-qualification-summary 器件型号： CSD17318Q2 …
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  • [参考译文] PSpice-for-TI：nom_pspti.lib 索引文件的问题

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17318Q2 , TPS54260 , TPS54260-EP 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system…
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  • RE: [参考译文] CSD17318Q2：CSD17318Q2

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Murthy、 感谢您的更新。 您可以与我分享您的原理图吗？ 如果您不想在此公共论坛上共享、请向我发送一份朋友请求、一旦我接受、您就可以在私人消息中共享原理图。 您能告诉我 FET 的电流和电压要求以及栅极驱动电压吗？ TI 确实有一些非常小的 FET、例如 CSD15380F3和 CSD17381F4、它们的泄漏规格较低、可能适合您的应用。
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  • RE: [参考译文] CSD16301Q2：用于反向电源保护的 CSD16301Q2

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Ali、 感谢您关注 TI FET。 我不确定您的电路配置。 如果在低侧使用 FET、则驱动 FET 应该没有问题。 但是、如果 FET 位于高侧、则需要提供高于输入电压的栅极电压。 CSD16301Q2导通电阻的额定值低至最小 VGS = 3V、这意味着您需要提供至少15V 的电压以确保 FET 导通。 采用2x2mm 封装的另一种替代方案是 CSD17318Q2、其导通电阻稍低…

  • CSD17318Q2仿真ＶDS Id曲线时与官方规格书给出的不相

    Other Parts Discussed in Thread: CSD17318Q2 ＨＩ：ＴＩ技术 　　　你们好！ 我在仿真CSD17318Q2时，遇到下面的问题， CSD17318Q2仿真ＶDS Id曲线时与官方规格书给出的不相,Vgs=4.5与Ｖgs=8时，与规格书偏高，请ＩＴ技术解答一下，谢谢

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