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  • RE: [参考译文] LM5112：快速 mos 驱动器(LM5112)+快速 mos (建议？) 驱动器的示例

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Fulvio、 这将用于什么终端设备？ 如果尺寸受限、我们建议使用以下 FET： 对于 GaN、您不需要高电压 GaN、因此选择有限、因为 GaN 具有固有的更高击穿电压。 EPC2040和 EPC2023是单配置。 由于您的开关频率仅高达1MHz、因此 EPC2023可能能够实现最佳效率、因此您可能会使用更大的栅极电容。 对于芯片、我们提供了 TI CSD17381F4…
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  • [参考译文] CSD1.6301万Q2：请帮我选择N通道MOSFET

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LMG1020 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1094939/csd16301q2-please-help-me-choose-a-n-channel-mosfe…

  • RE: BQ78350-R1: BQ78350+BQ76920 + bq24610 充至100%，充电指示灯来回闪烁（概率性问题）

    平衡充开启100%红灯闪烁.log 4375.yunhu-zhuban-v03.pdf

  • BQ78350: SMBUS 异常

    TI 认为已经解决
    Part Number: BQ78350 您好， 手持机项目是4串联电池，我在测量SMBUS对DIG_GND的电压时发现，当4节电池都放在机器中时，SMBUS对DIG_GND是正常的0V， 当摘下一节电池，只在电池中放3节电池时，SMBUS对DIG_GND是-5V，这个负压会导致下图中的转换芯片损坏。 我的理解是当电池少一节时，BQ73850没有正常工作，所以DSG_EN没有打开。ANA_GND和DIG_GND是断开状态，但MOS管导致两边的GND还有连接关系，出现负压的状态。 是否BQ73850的配置存在问题…

  • BQ78350-R1A: 两个GND的连接问题

    TI 认为已经解决
    Part Number: BQ78350-R1A 这个项目是4串联电池，我在测量SMBUS对DIG_GND的电压时发现，当4节电池都放在机器中时，SMBUS对DIG_GND是正常的0V， 当摘下一节电池，只在电池中放3节电池时，SMBUS对DIG_GND是-5V，这个负压会导致下图中的转换芯片损坏。 我的理解是当电池少一节时，BQ73850没有正常工作，所以DSG_EN没有打开。ANA_GND和DIG_GND是断开状态，但MOS管导致两边的GND还有连接关系，出现负压的状态。 问题如下， 1，是否BQ73850的配置存在问题…
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  • [参考译文] BQ78350-R1A：2接地连接问题

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1080477/bq78350-r1a-connectivity-issues-for-2-gnd 部件号： BQ78350-R1A 大家好，团队 客户提出的问题可能需要您的帮助： 该项目是一款4系列电池…

  • 官网的资料与提供的文件IC信息不一致，希望核实改进~

    • TI器件.pdf

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