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  • [参考译文] CSD18540Q5B:100%占空比

    admin
    admin
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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B , CSD17382F4 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1392353/csd18540q5b-100-duty 器件型号: CSD18540Q…
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    • 9 months ago
    • 电源管理(参考译文帖)
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  • RE: [参考译文] CSD17382F4:CSD17382F4是否可用于车辆环境?

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Statham: 感谢您关注 TI FET。 我想您要问的是、CSD17382F4是否符合汽车标准。 不是。 TI 的 FET 均不符合 AEC-Q100标准。 如果您有任何问题或需要其他信息、请告诉我。 此致、 约翰·华莱士 TI FET 应用
    • over 1 year ago
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  • RE: [参考译文] CSD17382F4:CSD17382F4是否可用于车辆环境?

    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Statham: 感谢您关注 TI FET。 我想您要问的是、CSD17382F4是否符合汽车标准。 不是。 TI 的 FET 均不符合 AEC-Q100标准。 如果您有任何问题或需要其他信息、请告诉我。 此致、 约翰·华莱士 TI FET 应用
    • over 1 year ago
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  • RE: [参考译文] CSD17484F4:ESD 二极管正向电压

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    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好,Jef, 感谢您关注 TI FET。 CSD17484F4在栅极和源极之间使用了单端 ESD 保护二极管。 如果源极电压比栅极电压高出超过结压降、则二极管将正向偏置钳位 VGS、约为-0.7V。 如果这是一个问题、TI 还提供了具有背靠背 ESD 保护结构且采用相同封装的 CSD17382F4。 请注意、背靠背 ESD 结构会导致更高的漏电流 IGSS 和 IDSS。 有关…
    • over 1 year ago
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  • [参考译文] CSD13381F4:当上部 FET 关闭时、VGS 为-0.6V

    admin
    admin
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    Other Parts Discussed in Thread: CSD13383F4 , CSD17382F4 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1240589/csd13381f4-when-upper-fet-is-off-i-have…
    • Resolved
    • over 1 year ago
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  • [参考译文] CSD17382F4:数据表拼写错误?

    admin
    admin
    Resolved
    Other Parts Discussed in Thread: CSD17382F4 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1025889/csd17382f4-data-sheet-typo 器件型号: CSD17382F4 在规格的"动态特性…
    • Resolved
    • over 3 years ago
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  • RE: [参考译文] CSD17382F4:背靠背 ESD 保护

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Christelle、您好! 感谢您关注 TI FET。 CSD17382F4栅极 ESD 结构可视为两个串联二极管、这两个二极管具有共阴极、其中阳极连接到栅极、阳极连接到源极。 无论栅极和源极之间的电压极性如何、一个二极管始终会反向偏置并阻止电流流动。 在 ESD 事件期间、该结构充当背靠背齐纳二极管、钳制栅极-源极电压以保护栅极氧化物。 如您所知、如果源极电压高于栅极电压…
    • over 3 years ago
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  • [参考译文] CSD2.5484万F4:请勿切换MOSFET -P,敬请注意

    admin
    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1090691/csd25484f4-mosfet-p-not-switching-kindly-advise 部件号: CSD2.5484万F4 主题中讨论的其他部件: CSD1.7382万F4 您好…
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    • over 3 years ago
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  • RE: [参考译文] CSD17382F4:CSD17382F4的一批材料

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    admin
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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Thomas: 感谢您的查询。 所有 TI FET 的额定、测试和保证均符合数据表限制。 由于正常工艺变化、将会出现参数差异、但同样、所有器件都将满足数据表限制。 此致、 John Wallace TI FET 应用
    • over 4 years ago
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  • RE: [参考译文] BQ77915:BSS214NH6327是合适的 MOSFET 吗?

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    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Art: 对于电池平衡、电池的输入会一起拉在一起、如 BQ77915数据表的图9-1所示。 当与图9-3等电路进行平衡时、这会为外部 FET 的栅极电压提供大约1/2的电池电压。 对于平衡 FET、您希望在开始平衡时将 RDSON 指定为电池电压的一半或更低。 对于3.4V 下的平衡、需要使用 RDSON 为1.7V 的 FET。 如果您找不到这样的 FET、则必须考虑在阈值以下运行…
    • over 4 years ago
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