Other Parts Discussed in Thread: CSD17382F4 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1025889/csd17382f4-data-sheet-typo 器件型号: CSD17382F4 在规格的"动态特性…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Thomas:
感谢您的查询。 所有 TI FET 的额定、测试和保证均符合数据表限制。 由于正常工艺变化、将会出现参数差异、但同样、所有器件都将满足数据表限制。
此致、
John Wallace
TI FET 应用
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Kevin:
感谢您向客户推广 TI FET。 我们不制造任何30V P 沟道 FET。 我们的电压仅达到20V。 此外、我们不为 N 沟道或 P 沟道器件提供 SOT23封装。 考虑到这一点、我建议将 CSD17382F4 FemtoFET 用于 N 通道器件。 对于 P 沟道器件、我建议使用 CSD25485F5 FemtoFET、这是一个20V 的器件(而不是30V…
Other Parts Discussed in Thread: CSD17382F4 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/755500/csd17382f4-marking-code-first-number-question 器件型号…