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  • RE: [参考译文] CSD17382F4：CSD17382F4是否可用于车辆环境？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Statham： 感谢您关注 TI FET。 我想您要问的是、CSD17382F4是否符合汽车标准。 不是。 TI 的 FET 均不符合 AEC-Q100标准。 如果您有任何问题或需要其他信息、请告诉我。 此致、 约翰·华莱士 TI FET 应用
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  • RE: [参考译文] CSD17382F4：CSD17382F4是否可用于车辆环境？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Statham： 感谢您关注 TI FET。 我想您要问的是、CSD17382F4是否符合汽车标准。 不是。 TI 的 FET 均不符合 AEC-Q100标准。 如果您有任何问题或需要其他信息、请告诉我。 此致、 约翰·华莱士 TI FET 应用
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  • RE: [参考译文] CSD13381F4：当上部 FET 关闭时、VGS 为-0.6V

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、大家好！ 感谢您关注 TI FET。 如果 U30的源(VDDQ_TRIM)高于其栅极(VDDQ_MARGIN_DOWN)、则会对单端栅极 ESD 保护二极管进行正向偏置。 在同一封装中、我们有两个替代方案 CSD17382F4和 CSD13383F4、它们使用背靠背 ESD 结构来防止这种情况的发生。 背靠背结构会导致更高的泄漏(IGSS 和 IDSS)、并且这些器件的1k…
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  • RE: [参考译文] CSD17484F4：ESD 二极管正向电压

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Jef， 感谢您关注 TI FET。 CSD17484F4在栅极和源极之间使用了单端 ESD 保护二极管。 如果源极电压比栅极电压高出超过结压降、则二极管将正向偏置钳位 VGS、约为-0.7V。 如果这是一个问题、TI 还提供了具有背靠背 ESD 保护结构且采用相同封装的 CSD17382F4。 请注意、背靠背 ESD 结构会导致更高的漏电流 IGSS 和 IDSS。 有关…
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  • RE: [参考译文] CSD17382F4：背靠背 ESD 保护

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Christelle、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD17382F4栅极 ESD 结构可视为两个串联二极管、这两个二极管具有共阴极、其中阳极连接到栅极、阳极连接到源极。 无论栅极和源极之间的电压极性如何、一个二极管始终会反向偏置并阻止电流流动。 在 ESD 事件期间、该结构充当背靠背齐纳二极管、钳制栅极-源极电压以保护栅极氧化物。 如您所知、如果源极电压高于栅极电压…
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  • [参考译文] CSD17382F4：数据表拼写错误？

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17382F4 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1025889/csd17382f4-data-sheet-typo 器件型号： CSD17382F4 在规格的"动态特性…
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  • [参考译文] CSD2.5484万F4：请勿切换MOSFET -P，敬请注意

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1090691/csd25484f4-mosfet-p-not-switching-kindly-advise 部件号： CSD2.5484万F4 主题中讨论的其他部件： CSD1.7382万F4 您好…
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  • RE: [参考译文] CSD17382F4：CSD17382F4的一批材料

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Thomas： 感谢您的查询。 所有 TI FET 的额定、测试和保证均符合数据表限制。 由于正常工艺变化、将会出现参数差异、但同样、所有器件都将满足数据表限制。 此致、 John Wallace TI FET 应用
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  • [参考译文] BQ77915：BSS214NH6327是合适的 MOSFET 吗？

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ77915 , CSD17382F4 , CSD17483F4 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/980867/bq77915-is-bss214nh6327-the…
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  • [参考译文] CSD17581Q5A：合适的器件

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17382F4 , CSD25485F5 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/919088/csd17581q5a-suitable-part 器件型号： CSD175…

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