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  • RE: [参考译文] CSD17484F4：材料成分

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Yixin、 很高兴能听到杜克·蓝魔鬼的声音！ 1987年、我从 Duke 获得了 MSEE。 CSD17381F4和 CSD17483F4这两个类似器件采用与 CSD17484F4相同的制造工艺制造。 材料成分的百分比应相同、但由于 CSD17484F4是较薄的器件、因此重量可能稍有不同。 随附 CSD17483F4的材料成分。 您将注意到、器件的可焊端子的镀层中有镍…
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  • RE: [参考译文] BQ2970：为电池选择晶体管

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好！ 数据表中有详细的设计过程部分-请参阅第10.2节。 两个 FET 的组合 Rdson 需要作为目标值。 因此、如果您需要500m Ω 的总电阻、则每个 FET 在 Vgs = 3.5V 时的导通电阻应为250m Ω。 需要考虑的事项：Rdson 在电池单元的范围内被指定为 Vgs。 Rdson 随电压和温度的变化而变化、因此请务必仔细检查 FET 数据表。 您可以使用此页面来过滤和查找符合您要求的…
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  • [参考译文] WEBENCH®︎工具/TLV9062：TIDA-010014交流小信号稳定性仿真问题

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    Other Parts Discussed in Thread: TLV9062 , CSD17483F4 , TIDA-010014 , OPA365 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware…

  • RE: 功率MOSFET

    Hi 是否还有电流电压规格的要求？ 仅仅从充放电时间来看，你可以选择CSD17483F4: http://www.ti.com.cn/product/cn/csd17483f4
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  • RE: [参考译文] BQ2.4296万：BQ2.4296万是电池过度充电

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Gregor， 我在原理图上看不到重大错误，只需注意以下几点： a)系统是否独立测试？ 如何测量蓄电池电流和电压？ 输入源是什么(实验室电源，USB，…)？ b)我看不到降压的输出上限(在SYS上)？ 确保您至少有10或22uF... c)确保R22和R28为1 % 或TS针脚上的电压正确(如果您要执行热保护测试，请使用电位计代替NTC) d)增加C38 (10uF…
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  • [参考译文] PCA9306：SVHC Survey Request_TI

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/interface-group/interface/f/interface-forum/1558068/pca9306-svhc-survey-request_ti 部件号： PCA9306 工具/软件： 尊敬的 TI 团队： 我是 Micron 产品合规团队的 Allen。 我从网站下载了 TI REACH 声明 (Texas…

  • 官网的资料与提供的文件IC信息不一致，希望核实改进~

    • TI器件.pdf

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