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找到 33 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • BQ25703A: 充不了电，需要协助一下

    TI 认为已经解决
    Part Number: BQ25703A Other Parts Discussed in Thread: BQ25700A , BQ25720 你好 BQ25703A在测试过程充不了电，可以麻烦帮忙看一下原理图是否有问题吗 4848.原理图.pdf
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  • RE: [参考译文] CSD17551Q3A：ESD 数据请求

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Yutaro-San、您好！ 感谢您关注 TI FET。 通常、TI 不会在数据表中发布 ESD 功能。 很抱歉造成混淆。 CSD17551Q3A 通过了500V HBM 和2000V CDM。 此致、 John Wallace TI FET 应用
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  • [参考译文] BQ2.5708万：充电顺序，峰值功率和无电池操作

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1101727/bq25708-charging-sequence-peak-power-and-operation-without-battery 部件号： BQ2.5708万 主题中讨论的其他部件…

  • RE: BQ25703A: otg无功能

    1bq25703.pdf
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  • RE: [参考译文] BQ25731：关于将 FET 从 CSD17551Q3A 更改为 CSD17579Q3A 的想法

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nick、 您命名的两个 FET 非常相似、因此可以从 CSD17551Q3A 切换到 CSD17579Q3A。 但是、我不确定这是否会改善功耗。 CSD17579Q3A 的 Qg 较低、但 Rdson 较高。 因此、我希望开关损耗更低、但导通损耗更高。 您需要使用两个 FET 在自己的电路板上测试效率、以确定哪一个 FET 可提供更好的性能。 您可以考虑的另一种选择是…
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  • [参考译文] BQ25703A：FET 设计选择

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD87588N , BQ25703A , CSD17551Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/996265/bq25703a-fet-design-choice …

  • BQ25703A PD无法充电

    Other Parts Discussed in Thread: BQ25703A 用BQ25703A设计1CELL 锂电池充电方案，目前使用TypeC接普通充电器（5V）可以充电，但是接带PD的适配器就无法充电，log显示pd disable，量测CHRG_OK在插入PD适配器后拉高，但很快就拉低了，请教下要使用PD快充，需要从哪方面来看，谢谢！ 2514.BQ25703A TypeC charge design.pdf
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  • RE: [参考译文] BQ25710：REGN 电流能力

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kazuto、 我已通过电子邮件向您发送了有关 REGN 电流能力的更多数据。 启用转换器时、REGN 电流限制的典型值为65mA、这足以支持客户使用30nC FET 的应用。 但是、我们仍然建议客户使用较低的 Qg FET、例如 EVM 上使用的 CSD17551Q3A FET。 这应减少开关损耗。 此致、 Angelo
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  • RE: [参考译文] BQ25710：栅极驱动器的 MOSFET 选择

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Kazuto、 我们建议也使用具有低 Ciss 的开关 FET。 例如、EVM 上使用的 CSD17551Q3A FET 的典型 Ciss 为1050pF。 如果 Ciss 较大、则开关 FET 的导通/关断时间会更慢、这会降低效率。 选择开关 FET 时的一些关键注意事项是避免 Rdson、Qg、Qgd、Ciss 和 Vgs (th)过大。 这些参数都会影响 FET…
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  • [参考译文] BQ25713：在 HIDRV1和 HIDRV2处观察到更高的电压。 它是否会损坏 MOSFET？

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: BQ25713 , CSD17551Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/948559/bq25713-observed-higher-voltage-at-hidrv1…

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