搜索提示
找到 18 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered

  • RE: [参考译文] CD4050B：使用 CD4050B 进行15V 至3.3V 的转换

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 CD4000电平转换器将能够实现此目的。 但在输出侧采用3.3V 电压时、工作速度将非常慢。 或者、您可以构建一个分立式 MOSFET 电平转换器。 请使用任何具有足够低栅源阈值电压的15V MOSFET、即使源极通过体二极管被拉低、例如 CSD17571Q2。 上升沿速度取决于上拉电阻。
    • Answered

  • RE: [参考译文] TCA6408A：肠道检查：驱动 MOSFET

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 当负载是大电容时、它看起来很短、可能会超过输出电流的绝对最大额定值。 逻辑输出被设计用于高达大约70 pF 的负载。 CSD17571Q2的输入电容为360 pF。 当您不需要快速开关时、插入一个与栅极串联的限流电阻器。 如果您确实需要快速开关、请使用功能更强大的驱动器、例如 UCC27517栅极驱动器。
    • Answered

  • [参考译文] CSD18511KCS：PMOS 和 NMOS 致力于

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD17571Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1363611/csd18511kcs-pmos-and-nmos-promote 器件型号： CSD18511K…
    • Answered

  • [参考译文] LM5050-1-Q1：lm5050和 lm74700-Q1之间的功能差异是什么？

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM74700-Q1 , LM5050-1-Q1 , CSD17571Q2 , LM5050-1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1076526/lm5050-1-q1-what…
    • Answered

  • [参考译文] LM25118：组件选择

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD17571Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1055212/lm25118-component-selection 器件型号： LM25118 您好！ 小问题…
    • Answered

  • RE: [参考译文] 开关速度为5MHz 至8MHz 的栅极控制 MOSFET

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、George、 感谢您关注 TI FET。 我们有一些 N 沟道 FET 选项。 我推荐采用2x2mm SON 封装的20V CSD15571Q2。 其他一些替代方案是 CSD17571Q2、采用2x2mm SON 封装的30V FET 或采用相同封装的 CSD16301Q2 25V。 CSD16301Q2具有最低的内部栅极电阻和栅漏极电荷、可实现此类应用所需的快速开关…
    • Answered

  • RE: [参考译文] CSD17571Q2：MOSFET Zth

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Gheorghe、 对任何混淆表示歉意。 正确的是、由于导通电阻随着器件自热而升高、功率耗散将增加。 我的方法是假设导通电阻处于最大值、这是由于整个脉冲期间的温升所致。 这是最坏的情况、可能会高估结温上升。 另一种方法是在结温较高时对开始处的损耗(其中 FET 温度较低)与脉冲结束处的损耗求平均值。 例如、使用(1.176W + 1.53W)/2进行计算。这假设 RDS…
    • Answered

  • RE: [参考译文] CSD17571Q2：当 VDS=0和 Vgs=5V 时、Mos 状态是什么

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Charles、 感谢您向客户推广 TI FET。 当 VDS = 0且 Vgs = 5V 时、FET 将导通、对2V/200ns 脉冲响应应该没有问题。 FET 需要导通多少电流？ 让我知道我还能为您提供哪些帮助。 您希望我看一下您的仿真吗？ 请随时通过 TI.com 电子邮件与我联系。
    • Answered

  • [参考译文] CSD19538Q2：汽车级 NMOS 建议

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD16301Q2 , CSD17571Q2 , CSD19538Q2 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/964413/csd19538q2-automotive-grade…
    • Answered

  • RE: [参考译文] TIDA-010045：CSD18541F5 MOSFET 的推荐替代产品

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Dan、您好！ 感谢您的联系。 是的、FemtoFET 可能难以手工焊接。 我在下面提供了 FemtoFET SMT 指南的链接、其中包括一些返工说明。 易于手工焊接的 FET 封装包括2mm (Q2)、3.3x3.3mm (Q3)和5x6mm (Q5、Q5A、Q5B)的 SON 封装。 此外、我假设您不需要60V FET。 了解 CSD17571Q2、CSD17313Q2和…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。