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  • [参考译文] CSD17573Q5B：您是否能够在 CSD17573Q5B 中提供 ESD HBM？

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17573Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1455022/csd17573q5b-could-you-provide-the-esd-hbm-in-c…
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  • CSD17573Q5B: 推動相同電流MOSFET(High Side)溫度會隨著架構不同而不同

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    Part Number: CSD17573Q5B 如要搭配下方Gate Driver, Rg(R50, R52), Rgs(R1, R319), Cboot(C27), Rnode(R51)該怎麼設計以降低MOSFET溫度? 理論上這顆MOSFET的RdsOn已經夠小, 但我們實際操作在下方架構8A就有過溫問題, 之前用其他的Buck Converter IC搭配這顆MOSFET可以到達20A(該Converter操作頻率約200KHz) Driver IC: Infineon-2ED2101…
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  • CSD17573Q5B: 推動相同電流MOSFET(High Side)溫度會隨著架構不同而不同，怎麼設計以降低MOSFET溫度

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    Part Number: CSD17573Q5B 如要搭配下方 Gate Driver, Rg(R50, R52), Rgs(R1, R319), Cboot(C27), Rnode(R51) 該怎麼設計以降低 MOSFET 溫度 ? 理論上這顆 MOSFET 的 RdsOn 已經夠小 , 但我們實際操作在下方架構 8A 就有過溫問題 , 之前用其他的 Buck Converter IC 搭配這顆 MOSFET 可以到達 20A( 該 Converter 操作頻率約 200KHz) 已有使用直流確認該MOSFET的8A導通溫度是正常…
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  • [参考译文] CSD17573Q5B：有关 CSD17573Q5b 器件的 HBM 信息的问题

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17573Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/910527/csd17573q5b-question-about-hbm-information-of-csd17573q5b…
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  • [参考译文] CSD17573Q5B：从结点到外壳顶部的 CSD17573Q5B 热阻

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17573Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/875283/csd17573q5b-csd17573q5b-thermal-resistance-from…
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  • [参考译文] CSD17573Q5B：散热焊盘下方的通孔焊盘图案建议？

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17573Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/984537/csd17573q5b-land-pattern-recommendation-with-vias…
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  • RE: [参考译文] TINA/Spice/CSD17573Q5B：加密的 CSD17573Q5B PSpice 模型在仿真中提供未知参数错误。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Glenn、 很抱歉错过了您的最后一个帖子、但这些终端是 MOSFET 的标准终端、与旧型号终端相同。 * SUBCKT 定义：1=D 2=G 3=S SUBCKTCSD17573Q5B123. PSpice 加密软件忽略了文本文件。 抱歉。 Herman
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  • RE: [参考译文] CSD17573Q5B：如何在高功率直流/直流设计中冷却 MOSFET？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你(们)好 感谢您的快速响应！ 我认为我在预览消息中没有很好地解释自己。 我的意思是引脚为160W、Pout 为151.2W、因此效率为94.5%、但非常接近您的计算。 我在高侧 MOSFET 的顶部外壳上测量了77c (比低侧 MOSFET 高大约10c)。 以下是我对直流/直流转换器的要求： 输入电压- 17.5V 输入电流-高达9.5A 输出电压- 9.5V…

  • CSD17573Q5B样品的D极和S极短路

    Other Parts Discussed in Thread: CSD17573Q5B , LM5122 前段时间申请的样片CSD17573Q5B，今天使用的时候发现焊到DC-DC升压电源板上后导致电源芯片冒烟损坏，用万用表测量发现电源输入输出端和地都短路，进一步测量发现是使用的MOS管CSD17573Q5B的DS端短路导致的，焊掉MOS管板子就不短路了；因为板子使用MOS管AON6504是没问题的，所以怀疑是CSD17573Q5B的问题。所以测量新的样品CSD17573Q5B发现：万用表任何一个表笔放在D极…
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  • [参考译文] TIDA-00643：CSD17573Q5B NexFET 功率 MOSFET 的 Altium 器件文件

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17573Q5B , TIDA-00643 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design…
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