Answered

• RE: [参考译文] CSD17573Q5B：如何在高功率直流/直流设计中冷却 MOSFET？

  

  admin

  已解决

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 抱歉、CSD17576Q5B。

  • 6 年多前
  • 电源管理（参考译文帖）
  • 电源管理（参考译文帖）(Read Only)

• RE: [参考译文] CSD18533Q5A：如何找到40V 和60V N-MOSFET 以最大限度减少产生的热量

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Nikolaus、 可以使用具有24V 输入电压的30V FET。 我们看到一些客户这样做、而其他客户更喜欢在40V 电压下提供更大的余量。 这实际上取决于 FET 上的振铃看起来是什么样子的。 如果您希望使用30V 器件、则可能需要使用缓冲器。 对于电机控制、损耗将由传导损耗决定、这意味着电阻更低、功耗更低、温度升高。 如果我将搜索范围限制在1k 价格低于0.50美元的器件…

  • 8 年多前
  • 电源管理（参考译文帖）
  • 电源管理（参考译文帖）(Read Only)

• TPS92641 LED驱动工作异常问题寻求支持

  

  Radish

  Other Parts Discussed in Thread: TPS92641 出现上MOS的HG信号，运行着就异常了，下MOS的LG信号运行着就截止了。原理图上传了，请大家帮忙看一下，谢谢！

  • TPS92641-162--Problem.pdf

  • 8 年多前
  • 电源管理
  • 电源管理论坛

• TPS92641异常问题寻求支持

  

  Radish

  出现上MOS的HG信号，运行着就异常了，下MOS的LG信号运行着就截止了。原理图上传了，请大家帮忙看一下，谢谢！

  • TPS92641-162--Problem.pdf

  • 8 年多前
  • 电源管理
  • 电源管理论坛

• 官网的资料与提供的文件IC信息不一致，希望核实改进~

  

  user4986719

  • TI器件.pdf

  • 8 年多前
  • 电源管理
  • 电源管理论坛

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。