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  • [参考译文] NMOS 设计建议

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD13202Q2 , CSD17577Q3A , CSD17581Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/916725/asking-for-the-nmos-design…
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  • [参考译文] WEBENCH®︎工具/LM5121-Q1：器件选择

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD16340Q3 , BQ24640 , CSD17577Q3A , LM5121-Q1 , LM5121 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation…
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  • [参考译文] TPS2419：建议的 MOS

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS2419 , CSD17577Q5A , CSD17577Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/776597/tps2419-suggested-mos 器件型号…
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  • [参考译文] CSD17577Q3A：SOA 和 MOSFET HAVANE&#39；t 完全关闭。

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS65982 , CSD17577Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/616838/csd17577q3a-soa-and-mosfet-haven-t-fully…
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  • [参考译文] BQ40Z50-R1：BQ40Z50-R1原理图查询

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z50-R1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/912984/bq40z50-r1-bq40z50-r1-schematic-query 器件型号： BQ40Z50…
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  • RE: [参考译文] CSD16406Q3：无铅备选产品？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Martin： 我的同事提醒我、我们有一个30V FET CSD17577Q3A、在相同的封装尺寸内具有相似的规格、即100%无铅。 请查看这是否适用于您的客户。

  • RE: [参考译文] PMP20183：PMP20183高电流消耗问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 查尔斯 CSD17577Q3A FET 的额定电压为30V、这很可能是问题所在。 在 PMP20183电路中、FET 将看到 Vout/3 = 200V/3 = 66V、因为它具有三倍电压。 如果您的应用为180V、FET 将看到大约60V。 您使用的 FET 很可能会细分略高于其30V 额定电压。 您将需要一个更高的电压(100V) FET 来实现180V 输出。 不建议使用60V…
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  • RE: [参考译文] 电池管理

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Jeff： 我刚刚使用 BQ24610RGER 完成了设计。 适配器电流设置为9A、电池充电电流设置为8A。 我在 适配器侧使用 CSD25402Q3A P 沟道 MOSFET、 在电池侧使用 CSD17577Q3A N 沟道 MOSFET。 两种器具的连续电流均大于20A、 但我对热效应有点困惑、因此我计划在适配器侧和电池侧并联使用两个 MOSFET。 这会影响系统性能。 …
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  • [参考译文] CSD17573Q5B：具有散热过孔的 PCB 布局

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD17577Q3A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/589510/csd17573q5b-pcb-layout-with-thermal-vias 器件型号： CS…

  • RE: [参考译文] CSD13380F3：低 VDS 解决方案

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Patty： 感谢您的查询。 我相信这也是谢长廷的要求。 我将在附加注释中提供相同的响应：我们没有满足5m Ω 导通电阻的 FemtoFET。 电阻最低的 FemtoFET 是 CSD13385F5 (VGS = 4.5V 时最大为19m Ω)。 我们在以下链接中提供了负载开关 FET 选择器工具。 在2x2mm SON 中、最低 RDS (ON)是 CSD13202Q2…

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