E2E™ 设计支持
E2E™ 设计支持
  • 用户
  • 站点
  • 搜索
  • 用户
  • E2E™ 中文设计支持 >
  • 论坛
    • 放大器
    • API 解答
    • 音频
    • 时钟和计时
    • 数据转换器
    • DLP® 产品
    • 接口
    • 隔离
    • 逻辑
    • 微控制器
    • 电机驱动器
    • 处理器
    • 电源管理
    • 射频与微波
    • 传感器
    • 站点支持
    • 开关与多路复用器
    • 工具
    • 无线连接
    • 参考译文
    • 存档组
    • 存档论坛
  • 技术文章
    • 模拟
    • 汽车
    • DLP® 技术
    • 嵌入式处理
    • 工业
    • 电源管理
  • TI 培训
  • 快速入门
  • English
  • 更多
  • 取消


搜索提示
找到 45 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered
  • TMS570BMS 设计

    user5957169
    user5957169
    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TMS570LS0432 , LAUNCHXL-TMS57004 , EMB1499Q , DAC081S101 , CSD18504Q5A , EMB1428Q , EM1402EVM 您好!我也是刚接触 BMS,之前也没有电路板知识,全部都现学的,我现在想参考TI官网上 TIDM-TMS570BMS 的设计方案进行照着做 因为刚开始学习,也没有老师指导和同学交流,所以我都是根据参考资料自己理解,也不知道自己理解的是否正确,因为身边没有会的人,我下面的几个问题都是些很基础的问题…
    • 已回答
    • 6 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • RE: LM5122MH做升压电路能用铝基板吗

    xuanming tan
    xuanming tan
    完全按软件结果:CSD18504Q5A、CSD18537NQ5A
    • 10 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • Answered
  • RE: BQ24650-100W太阳能充电,该注意点啥

    Wu JW
    Wu JW
    已解决
    QFN封装的MOS管,需要加大PCB 面积,通过PCB来进行散热。 上管的选择需要选Qg小一点的MOS管,而不是Rdson小的MOS管。建议可以采用CSD18504Q5A为上管,下管采用CSD18501Q5A。
    • 8 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • RE: TPS40057 问题汇总 求助

    ming liu11
    ming liu11
    目前从申请了新mos CSD18504Q5A 回来测一下 希望能解决问题
    • 10 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • 关于BQ24620充电发热烧毁IC问题

    Elvis gui
    Elvis gui
    Other Parts Discussed in Thread: CSD18504Q5A , CSD17573Q5B , BQ24620 , CSD18503Q5A , LM5122 各位前辈,我是初次使用BQ24620来做充电管理,前级输入是9-12.6V,用LM5122来做Boost到18V,后面用BQ24620来做充电管理,限制在14.5V/7A,目前遇到的问题是其他功能都很稳定,就是BQ24620发热严重,铅酸电池一次没有充满IC就会烧毁。 我咨询过FAE,说是Qg过大导致。 不过我换成AO的4304…
    • BQ24620 Schematic Prints.pdf
    • 10 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • Answered
  • 大家帮忙看一下,用LM25122-Q1做的一个DC-DC转换电路,可以升压,可以带不了大一点的负载,input:5~6V,output:7~20V,4A

    K!
    K!
    已解决
    LM25122-Q1-YZB-Sch1.pdf LM25122-Q1-YZB.zip
    • 已回答
    • 4 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • RE: bq24600充电发热厉害

    Elvis gui
    Elvis gui
    我的也是一样,用BQ24620 IC发热很严重。我的是18V输入,14.5V/7A输出。 目前其他都调试OK,就是IC本身发热太严重,电池是48AH,一个循环充不满,IC就烧毁了。 MOS还没事。 目前选用的MOS有QM3018D TO252封装,TI的CSD18503Q5A,TI的CSD18504Q5A。可是还是很热。下图第一张是TI的CSD18504,第二张是QM3018D
    • 10 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • Answered
  • [参考译文] LM2.5149万:Webench'无法定义自己的MOS规范

    admin
    admin
    已解决
    请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1095599/lm25149-webench-can-t-define-own-mos-spec 部件号: LM2.5149万 主题中讨论的其他部件: LM2.5143万 , CSD1.8504万Q5…
    • 已回答
    • 3 年多前
    • 电源管理(参考译文帖)
    • 电源管理(参考译文帖)(Read Only)
  • RE: TPS43061 做的方案MOSFET温度过高问题

    Jesse Yuan
    Jesse Yuan
    Chelsea : 谢谢你及时回复,我选择的MOSFET都导通阻抗是3mOhm的,但是我用WEBENCH模拟典型电路及模拟温升同样是非常高的,这是什么问题,是否是需要额外增加散热处理?附件是我导出来的报告。驱动电阻在测试过程时也改为0了
    • webench_tsim_3943919_57_970041020.pdf
    • 9 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
  • RE: LM3481 boost circuit

    user6383438
    user6383438
    LM3481-FLYBACK-SCH_202007151120021.docx
    • 5 年多前
    • 电源管理
    • 电源管理论坛
<>

未找到您搜索的内容?发布一个新问题吧。

  • 发布新问题