搜索提示
找到 67 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • [参考译文] DRV8711：设计以尊重绝对最大额定值为基准

    Other Parts Discussed in Thread: DRV8711 , DRV8711EVM , CSD18531Q5A , CSD88537ND , BOOST-DRV8711 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/903027/drv8711-design…
    • Answered

  • RE: [参考译文] TIDA-00120：将输出充电电流增加到40A 时的注意事项

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nikos、 再次感谢您关注 TI FET。 在查看您的要求后、我建议在同步降压充电器的每个相位中并联使用2个高侧和2个低侧 FET。 如果不需要、您可以始终移除一个并联 FET。 此外、我将使用5x6 SON 封装的 FET、而不是 TO-220封装的器件。 这是因为由于通孔引线和芯片源极连接上的内部引线键合使得 TO-220具有高得多的寄生电感、并且由于更高的开关损耗…

  • LM5175电源芯片使用问题

    Other Parts Discussed in Thread: LM5175 使用LM5175问题，电流突然增大会导致芯片保护，我把 限流保护电阻设大（2-10）毫欧或者设小，没有明显提升电流，尝试修改CS脚电容，也没有设大，我现在使用的MOSFET（ CSD18531Q5A ）是一样的，跟这个有关吗？电源突然增大负载后，在一定时间中间会拉个缺口，但当我一点一点加负载又可以带载，求解。找个一个FAE，无解，请告知联系邮箱，wujb@slinvision.com 谢谢！
    • Answered

  • [参考译文] CSD18543Q3A：温度过高

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A , CSD18540Q5B , CSD18531Q5A , CSD18533Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/641059/csd18543q3a…
    • Answered

  • RE: [参考译文] CSD18540Q5B：CSD18540Q5B

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Abolfazl、 您的两个线程已合并。 在 H 桥上、两个 MOSFET 在电路中串联、如果每个 MOSFET 的 Vds 为30伏、则 H 桥可支持60伏。 这句话是否正确？ 当高侧处于活动状态时、低侧 FET 的 VDS 为 VM V。 当低侧 FET 处于活动状态时、高侧 FET 的 VDS 为 VM V。 正如 John 所说、BVDSS 必须大于输入电压…

  • [参考译文] CSD1.8531万Q5A：有关MOSFET SOA图形的问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/582213/csd18531q5a-question-about-mosfet-soa-graph 部件号： CSD1.8531万Q5A 主题中讨论的其他部件： CSD1.8533万Q5A ， 在CDS1…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM3150：rlim 和 CFF 值计算

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Abhilash、 我们已更正 WEBENCH 中 RLIM 和 CFF 选择的公式。 但是、该更新将在7月2日之前在 TI.com 上提供。 如果您有任何疑问、请告知我们。 下面是有关这些公式的详细信息 1. RLIM：下面是 RLIM 选择数据表的快照 下面是用于计算的分段 a. Iocl = 1.2 * Iout (20%裕度) = 1.2 * 8…
    • Answered

  • RE: [参考译文] DRV8711：振动高于预期

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 樱桃、您好！ PCB 上的线粗(布线)无关紧要、尽管增加布线的尺寸不会产生任何损害。 您能否将您的电路原理图与 EVM 原理图进行比较、并查看是否存在任何不同电容值的电容器？ 您可以在 ZIP 文件夹 中的 Design Files 下找到 EVM 原理图：https://www.ti.com/tool/DRV8711EVM#tech-docs 我想知道振动差异是否是因为感测电阻值…
    • Answered

  • DRV8711EVM过流保护的问题

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: DRV8711 , CSD18531Q5A TI工程师，您好 drv8711 datasheet上说OCP是检测外部FET上的压降，是Vds吗？ 寄存器设定的最小阈值是250mV，但是 CSD18531Q5A 的Rds只有几个mohm，那岂不是电流要达到好几十A才能触发OCP？这也太大了。。。 请教是否是这样的。 如果我想要通过一个电机绕组2A就触发OCP，应该怎么操作呢？ 谢谢。

  • LM5175调试问题

    Other Parts Discussed in Thread: LM5175 , CSD18531Q5A LM5175调试中发现HDVR1和LDVR1,HDVR2和LDVR2只有一半在工作，HDVR1和LDVR1有输出，导致电源不正常。请问怎么回事，我把ISNS+和ISNS-接上也是一样，请见图，

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。