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  • RE: [参考译文] LM3150：随着负载增加3A、输出电压会立即下降。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Ramana 原理图看起来没有问题。 请确保在 R1处使用零欧姆。 在用 CSD18537NQ5A 和 CSD18504Q5A 替换原始 MOSFET 之前、它们的 P/N 是多少？ - EL
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  • [参考译文] UCC27282：PSPICE 中栅极波形的振荡，用于 TI 模拟

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    Other Parts Discussed in Thread: UCC27282 , CSD18537NQ5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1070101/ucc27282-oscillation-on-gate-waveform…
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  • [参考译文] TPS2493：需要有关在设计中添加更多 MOSFET 的建议。

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18537NQ5A , TPS2493 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046391/tps2493-need-advise-on-adding-more-mosfet…
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  • [参考译文] TPS2493：需要有关在设计中添加更多 MOSFET 的建议。

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18537NQ5A , TPS2493 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1046391/tps2493-need-advise-on-adding-more-mosfet…
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  • RE: [参考译文] CSD18537NQ5A：降压转换器高驱动 FET (6nSec)脉冲超过 VDS 额定值

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Jojo、 由于我没有得到回复、我假设您的问题已得到解决、我将关闭此主题。 请允许我提供进一步的帮助。 谢谢、 John
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  • [参考译文] LM3150：短接通电源

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    Other Parts Discussed in Thread: LM3150 , CSD18537NQ5A , CSD18504Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/996745/lm3150-short-on-turn-on 器件型号…
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  • RE: [参考译文] TI 的 PSpice：.ends 上的错误名称与.SUBCKT 不匹配

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jackie、 我将器件从 CSD18504Q5A 更改为 CSD18537NQ5A、问题消失了。 现在、我可以开始研究运行仿真。 大家可能应该看看这个 SPICE 模型。 谢谢、
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  • [参考译文] TPS2490：负载放电和定时器查询

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS2490 , CSD18537NQ5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/974003/tps2490-load-discharge-and-timer-quer…
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  • RE: [参考译文] CSD18537NQ5A：栅极和源极接地时的 MOSFET 漏极 ESD 保护

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Zeki、 感谢您关注 TI FET。 由于栅极氧化层、栅极是典型 MOSFET 中对 ESD 最敏感的引脚。 我们的一些器件集成了从栅极到源极的 ESD 保护。 这是单端二极管或背对背二极管。 CSD18537NQ5A 不包含任何 ESD 保护。 TI 已经测试了该器件、并通过了500V HBM 和2000V CDM 标准。 该器件是单脉冲雪崩额定值、数据表第1页的绝对最大额定值对此进行了详细说明…
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  • RE: [参考译文] LM5069：TI FET 建议

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 非常感谢、Rakesh。 请允许我再问一个问题。 我了解到、对于故障事件、Q1需要比 Q2更强的 SOA。 EVM 上的 Q1 (SUM50N06-16L)和 Q2 (CSD18537NQ5A)具有类似的 SOA 性能。 这两个器件是单独选择的、有什么具体原因或背景原因吗？ 此致、 S.Sawamoto

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