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  • [参考译文] LM5176-Q1：栅极电阻器和并联 FET

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A , CSD18540Q5B , LM5176-Q1 , LM5176 , PMP21278 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/812337/lm5176…
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  • RE: [参考译文] DRV8703-Q1：DRV8703报告挂起错误消息

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 谢谢 Harald。 您似乎担心 FET 的栅极损坏。 DRV8703中已包含17V 标称 VGS 正电压钳位(和-0.7V 负钳位)(数据表第7.3.12节中的规格)。 CSD18540Q5B 的绝对最大 VGS 为+/-20V。 您是否添加了额外保险？ 我们认为这与电源上的过压有关、您可能需要查看使用电源上的 TVS3300作为防止这种情况的手段。 此外、降低初始电路板启动的驱动强度…

  • [参考译文] CSD18540Q5B：CSD18540热特性

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/589077/csd18540q5b-csd18540-thermal-characteristics 器件型号： CSD18540Q5B 您好！ 我的客户使用 CSD18540进行电机驱动。 最大80A…

  • [参考译文] 全桥 PWM 控制器栅极驱动器

    Other Parts Discussed in Thread: DRV8701 , DRV8702-Q1 , DRV8703-Q1 , CSD18510Q5B , CSD18540Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/904473/full-bridge…
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  • [参考译文] CSD19532Q5B：CSD19532Q5B

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD19532Q5B , CSD18540Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/675482/csd19532q5b-csd19532q5b 器件型号： CSD195…

  • BQ40z80为实现大电流将采用CHG、DCHG三个FET并联能否可行？

    Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B 为了实现一个很大的放电电流，采用将3个mos并联去充放电， 选型是CSD18540Q5B（即EVM板上的放电mos管）。 请问这种情况下， （1） CHG/DSG的pin脚的输出能否满足3个Qg，能否驱动的起来mos？ （2） 是否应该将驱动电阻阻值选小一些，以驱动？ （3） 另外请问为什么请问充、放、预充的mosfet的g极驱动电阻分别为1k、4.02k、10k，驱动电阻的选择标准是什么？ 1 从CHG…
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  • [参考译文] BQ40Z80EVM-020：bq40z80EVM-020

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    Other Parts Discussed in Thread: BQ40Z80EVM-020 , BQ40Z80 , CSD18504Q5A , CSD18540Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/741201/bq40z80evm…
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  • RE: [参考译文] LM5175-Q1：当电流负载增加时、LM5175-Q1输出电压下降至0V

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Youhao、 我移除了两个缓冲器进行测试、没有发现任何差异。 我将订购另一个感应电阻器、看看它是否起作用。 我想知道用较高 Vgs (th)的 MOSFET 替代 CSD18540Q5B 是否可以解决这种自启动问题。 CSD185040是否是此应用的理想选择？ 感谢你的帮助。 Michael
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  • RE: LM3150: 按照webench设计的24V转5V8A电路负载能力差

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    有三点需要说明， 1. 我手头没有47pF电容，使用了100pF电容替代了Cff，经TINA-TI仿真验证 2. 电感使用的国产电感 3. Q2实际使用的是TI的 CSD18540Q5B
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  • RE: [参考译文] TIDA-00120：将输出充电电流增加到40A 时的注意事项

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nikos、 再次感谢您关注 TI FET。 在查看您的要求后、我建议在同步降压充电器的每个相位中并联使用2个高侧和2个低侧 FET。 如果不需要、您可以始终移除一个并联 FET。 此外、我将使用5x6 SON 封装的 FET、而不是 TO-220封装的器件。 这是因为由于通孔引线和芯片源极连接上的内部引线键合使得 TO-220具有高得多的寄生电感、并且由于更高的开关损耗…

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