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  • RE: [参考译文] LM5175-Q1：当电流负载增加时、LM5175-Q1输出电压下降至0V

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Youhao、 我移除了两个缓冲器进行测试、没有发现任何差异。 我将订购另一个感应电阻器、看看它是否起作用。 我想知道用较高 Vgs (th)的 MOSFET 替代 CSD18540Q5B 是否可以解决这种自启动问题。 CSD185040是否是此应用的理想选择？ 感谢你的帮助。 Michael
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  • RE: LM3150: 按照webench设计的24V转5V8A电路负载能力差

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    有三点需要说明， 1. 我手头没有47pF电容，使用了100pF电容替代了Cff，经TINA-TI仿真验证 2. 电感使用的国产电感 3. Q2实际使用的是TI的 CSD18540Q5B
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  • RE: [参考译文] TIDA-00120：将输出充电电流增加到40A 时的注意事项

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Nikos、 再次感谢您关注 TI FET。 在查看您的要求后、我建议在同步降压充电器的每个相位中并联使用2个高侧和2个低侧 FET。 如果不需要、您可以始终移除一个并联 FET。 此外、我将使用5x6 SON 封装的 FET、而不是 TO-220封装的器件。 这是因为由于通孔引线和芯片源极连接上的内部引线键合使得 TO-220具有高得多的寄生电感、并且由于更高的开关损耗…
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  • [参考译文] BOOSTL-DRV8305EVM：电流变化时扭矩输出异常(&G)；20A

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    Other Parts Discussed in Thread: MOTORWARE , DRV8305 , CSD18540Q5B , BOOSTXL-DRV8305EVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum…
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  • RE: [参考译文] DRV8703-Q1：驱动程序未开始执行&quot；drive&quot；

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Betty： 使用的晶体管与评估板(CSD18540Q5B)中使用的晶体管完全相同。 您是否意味着不建议通过禁用串行端口来工作？ 我将尝试完成软件以与 SPI 端口进行通信。 此致。
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  • [参考译文] LM74700-Q1：电机驱动器旁路

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    Other Parts Discussed in Thread: DRV8704 , CSD18540Q5B , LM74700-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/843342/lm74700-q1-motor-driver-by…
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  • [参考译文] TIDA-00120：增加 PV 电压限制

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    Other Parts Discussed in Thread: TIDA-00120 , CSD19531Q5A , CSD18532Q5B , CSD18540Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation…
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  • RE: [参考译文] TINA/Spice/CSD18534Q5A：网络提供的 PSpice 模型是否正确？ 尺寸之外、它是否与 CSD18543Q3A 相同？

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 谢谢、我已经检查 了 CSD18540Q5B 在不更改任何参数的情况下将其插入电路、从而在我们的系统中工作。 我们将继续使用这个。 谢谢、 Terri
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  • [参考译文] CSD18543Q3A：温度过高

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18543Q3A , CSD18540Q5B , CSD18531Q5A , CSD18533Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/641059/csd18543q3a…
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  • RE: [参考译文] DRV8701EVM：DRV8701 - MOSFET 选择

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 嗨、Rick、 感谢您的回答！ 您的 Vgs 阈值很低、但 CSD18540Q5B 的 Vgs 也很低。 在检查布局时、我们将降级板上的 MOSFET 焊接到了一起、并执行了相同的测量。 结果是相同的。 减少虚拟机会产生更好的效果。 随着电压升高的每一步、尖峰都会变得更大。 我们观察到、它也取决于电机电流。 因此、如果 VREF 电平为4、8V (无电流调节)、FET 将损坏。…

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