搜索提示
找到 149 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered

  • [参考译文] CSD18532Q5B：PSI-JT 热特性参数

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD18532Q5B , CSD18540Q5B , CSD18537NQ5A , CSD18563Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/643010/csd18532q5b…
    • Answered

  • [参考译文] WEBENCH®︎工具/LM3150：WEBENCH 设计无法正常工作

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD18504Q5A , CSD18540Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/813160/webench-tools-lm3150-webench-design…

  • 关于电机驱动器的功率器件使用问题：SiC（碳化硅）替代MOSFET方案是否可行

    Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B 驱动器要求：24V供电，最大电流在60A。 初选TI的NexFET:CSD18540Q5B(60V,1.8毫欧姆)现对手册中有些参数不太了解，不知道该器件是否能满足使用要求。 1.这里Id有三个参数：封装限制：100A；25度硅材料限制：221A；第三个参数28A是什么概念?选型时是按照三个参数最小值选型？？ 2.1.8毫欧是在25度下的，实际使用中电流比较大，温度也比较高，这样通态电阻肯定要变大，功耗大，发热也会更严重…
    • Answered

  • [参考译文] DRV8702D-Q1EVM：评估套件中存在与睡眠按钮相关的软件错误和其他观察结果

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B , DRV8702-Q1EVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/729137/drv8702d-q1evm-the-evaluation-kit-has-a-bug…

  • RE: [参考译文] CSD18540Q5B：MOSFET 选择

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Summi、 CSD18540Q5B 是一款逻辑电平器件、其阈值为~1.8V。 您将注意到器件的电阻额定值低至4.5Vgs、因此这是我们建议驱动的最小电压。 因此、该器件在5Vgs 下应该可以正常工作、但如果它远低于4.5V、我们不能保证性能、因为此时 Rdson 与 Vgs 曲线的电压相当高(数据表中的图7)。 我们保证4.5Vgs 时的最大电阻、因此如果您可以确保 Vgs…
    • Answered

  • 关于TI-Instaspin-foc和DRV8305硬件设计上的问题，谢谢

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: DRV8305 , CSD18540Q5B , BOOSTXL-DRV8305EVM , DRV8301 , SN65HVD234 , DRV8323 , ISO1050 , ISOW7821 1.我们之前采用 TI-Instaspin-FOC 做了一款无感电机驱动器。gate driver：DRV8305 MOSFET：TI的CSD18540Q5B。现在需要硬件设计改版。 想选用其他的大功率MOSFET。 关于DRV8305和其他MOSFET的匹配设计和MOSFET驱动电流的估算方面…

  • RE: [参考译文] CCS/LAUNCHXL-F28069M：有关 lab05b 中 DRV8305程序的问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Yanming、感谢您的回复。 现在我的问题是 MOSFET 过热。我使用 DRV8305以 ISINK 和 ISOURCE (50mA/60mA)的默认设置驱动12个 MOSFET (CSD18540Q5B)。 我认为这可能是因为我的苔藓压摆率太慢了。 因此、我尝试调整 drv8305中的 Isink 和 Isource。 请就 drv8305中的 Isink 和…

  • [参考译文] CCS/LAUNCHXL-F28069M：我的 MOSFET 过热

    Other Parts Discussed in Thread: DRV8305 , CSD18540Q5B , MOTORWARE 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000-microcontrollers-forum/600087/ccs-launchxl…
    • Answered

  • [参考译文] CCS/LAUNCHXL-F28069M：有关 InstaSPIN-FOC 应用的一些硬件问题

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: DRV8305 , CSD18540Q5B , TMS320F28069M , BOOSTXL-DRV8305EVM , DRV8301 , DRV8323 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/microcontrollers/c2000-microcontrollers-group/c2000/f/c2000…
    • Answered

  • RE: [参考译文] LM25145：LM25145 - MOSFET 功率损耗计算- WebBench 或 splr001a.zip

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 奥兰多、 非常感谢您的快速支持！ 我的设计参数包括： 欠压锁定导致的输入电压为15-31V (通常仅为16-31V) 输出电压12V @标称10A (由于 Rds-on 过流保护功能以及输入电压偏差、我们现在使用12A 进行计算) 工作温度范围0 -70°C 附件是我们需要优化的关于功率损耗的当前设计=>更低温度：使用的顶部+底部 MOSFET：TI CSD18531Q5A …

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。