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  • RE: [参考译文] LM25145：LM25145 - MOSFET 功率损耗计算- WebBench 或 splr001a.zip

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 奥兰多、 非常感谢您的快速支持！ 我的设计参数包括： 欠压锁定导致的输入电压为15-31V (通常仅为16-31V) 输出电压12V @标称10A (由于 Rds-on 过流保护功能以及输入电压偏差、我们现在使用12A 进行计算) 工作温度范围0 -70°C 附件是我们需要优化的关于功率损耗的当前设计=>更低温度：使用的顶部+底部 MOSFET：TI CSD18531Q5A …
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  • RE: [参考译文] LM25145：LM25145 - MOSFET 功率损耗计算- WebBench 或 splr001a.zip

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 奥兰多、 非常感谢您的快速支持！ 我的设计参数包括： 欠压锁定导致的输入电压为15-31V (通常仅为16-31V) 输出电压12V @标称10A (由于 Rds-on 过流保护功能以及输入电压偏差、我们现在使用12A 进行计算) 工作温度范围0 -70°C 附件是我们需要优化的关于功率损耗的当前设计=>更低温度：使用的顶部+底部 MOSFET：TI CSD18531Q5A …

  • [参考译文] DRV8701：TI csd1.854万q5b的DRV8701 Iddrive设置

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/597764/drv8701-drv8701-idrive-setting-for-ti-csd18540q5b 部件号： DRV8701 主题中讨论的其他部件： CSD1.854万Q5B FEF闸荷电总量(10V)…

  • 关于TI-Instaspin-foc和DRV8305硬件设计上的问题

    1.我们之前采用 TI-Instaspin-FOC 做了一款无感电机驱动器。gate driver： DRV8305 MOSFET：TI的 CSD18540Q5B 。现在需要硬件设计改版。 想选用其他的大功率MOSFET。 关于 DRV8305 和其他MOSFET的匹配设计和MOSFET驱动电流的估算方面， 能否提供TI相关的 参考资料或应用笔记？ 或是关于 DRV8305 的IDRIVE应用上的参考文档，达到 DRV8305 和其他MOSFET的匹配。 2. BoostXL-DRV8305EVM 上 DRV8305 和 CSD1854…

  • BQ76930第一次设计，没有反应

    Other Parts Discussed in Thread: BQ78350-R1 , BQ76930 , BQ78350 , EV2400 , BQ76925 帮我检查一下原理图（附件），我参考的是官网下载的2颗级联+MUC的 原理图。跟规格书里面的稍稍不同，里面的Rf Cf这些电路没有用上。 接上电源后初步判断： 1，REGOUT 脚没有电压输出，所以BQ78350-R1无法工作。 2，不知道会不会跟V5X没有串一个电阻接到VC5有关系。
    • Schematic Prints.pdf
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  • 关于TI-Instaspin-foc和DRV8305硬件设计上的问题

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    Other Parts Discussed in Thread: DRV8305 , DRV8320 1.我们之前采用TI-Instaspin-FOC做了一款无感电机驱动器。gate driver： DRV8305 MOSFET：TI的 CSD18540Q5B 。现在需要硬件设计改版。 想选用其他的大功率MOSFET。关于 DRV8305 和其他MOSFET的匹配设计和MOSFET驱动电流的估算方面，能否提供TI相关的参考资料或应用笔记？ 或是关于 DRV8305 的IDRIVE应用上的参考文档，达到 DRV8305 和其他MOSFET的匹配…

  • MOSFET发热严重如何解决

    Other Parts Discussed in Thread: DRV8305 , CSD18540Q5B 按照DRV8305的评估板自己做了一个电机驱动板，使用双MOS管并联（CSD18540QB），功率要求能够达到1个Kw左右。 现在电机工作正常，电机速度也较为平稳。 现在遇到最大的问题是，当电机工作在高速状态下时，MOSFET发热严重，直接导致drv8305过温保护，红灯报警。 采取最好的散热条件，可以满足1kw的功率要求。但系统不能允许有这个大的散热装置。 请问我应该从哪几个方面来降低MOSFET发热…

  • 栅极驱动器LM5105总是很容易烧，是什么原因

    Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B , LM2735 , LM5105 用两个LM5105做全H桥电机驱动，MOS是CSD18540Q5B，LM5105的供电是LM2735升压5V-12V提供的，然后在H桥工作在低电压如7.4V下，给20KHzPWM工作时，出来的驱动引脚波形都特别完美，半桥输出是标准的方波，然后如果电源电压高一些，像16V，24V时，这个时候会有两种情况： A.一种是如果不加电机负载过去，然后一上电瞬间，偶尔会烧栅极驱动，烧完就是栅极驱动的低边会输出高一直…
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  • RE: [参考译文] DRV8303：DRV8303流过高和低侧FET的驱动

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Steve， 我与我们的设计师讨论了在高侧门切换事件中如何在低侧门上实施我们的内部下拉电阻器。 在该器件上，内部下拉电阻器的强度不足以使GLX引脚保持在较低的位置，使GHx引脚处于旋转状态的速度不快。 CSD1.854万Q5B MOSFET具有低QGD，可使它们以最小栅电流快速转换。 在48V系统中，耦合到GLX线的瞬态足以轻微打开低侧FET，从而导致由RSENSE线上的大瞬态测量的短暂透射期…
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  • [参考译文] TIDA-00620：更改了设计以适应更高的电压

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    Other Parts Discussed in Thread: DRV8701 , TIDA-00620 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools…

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