搜索提示
找到 146 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • 关于TI-Instaspin-foc和DRV8305硬件设计上的问题

    1.我们之前采用 TI-Instaspin-FOC 做了一款无感电机驱动器。gate driver： DRV8305 MOSFET：TI的 CSD18540Q5B 。现在需要硬件设计改版。 想选用其他的大功率MOSFET。 关于 DRV8305 和其他MOSFET的匹配设计和MOSFET驱动电流的估算方面， 能否提供TI相关的 参考资料或应用笔记？ 或是关于 DRV8305 的IDRIVE应用上的参考文档，达到 DRV8305 和其他MOSFET的匹配。 2. BoostXL-DRV8305EVM 上 DRV8305 和 CSD1854…

  • BQ76930第一次设计，没有反应

    Other Parts Discussed in Thread: BQ78350-R1 , BQ76930 , BQ78350 , EV2400 , BQ76925 帮我检查一下原理图（附件），我参考的是官网下载的2颗级联+MUC的 原理图。跟规格书里面的稍稍不同，里面的Rf Cf这些电路没有用上。 接上电源后初步判断： 1，REGOUT 脚没有电压输出，所以BQ78350-R1无法工作。 2，不知道会不会跟V5X没有串一个电阻接到VC5有关系。
    • Schematic Prints.pdf
    • Answered

  • 关于TI-Instaspin-foc和DRV8305硬件设计上的问题

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: DRV8305 , DRV8320 1.我们之前采用TI-Instaspin-FOC做了一款无感电机驱动器。gate driver： DRV8305 MOSFET：TI的 CSD18540Q5B 。现在需要硬件设计改版。 想选用其他的大功率MOSFET。关于 DRV8305 和其他MOSFET的匹配设计和MOSFET驱动电流的估算方面，能否提供TI相关的参考资料或应用笔记？ 或是关于 DRV8305 的IDRIVE应用上的参考文档，达到 DRV8305 和其他MOSFET的匹配…

  • MOSFET发热严重如何解决

    Other Parts Discussed in Thread: DRV8305 , CSD18540Q5B 按照DRV8305的评估板自己做了一个电机驱动板，使用双MOS管并联（CSD18540QB），功率要求能够达到1个Kw左右。 现在电机工作正常，电机速度也较为平稳。 现在遇到最大的问题是，当电机工作在高速状态下时，MOSFET发热严重，直接导致drv8305过温保护，红灯报警。 采取最好的散热条件，可以满足1kw的功率要求。但系统不能允许有这个大的散热装置。 请问我应该从哪几个方面来降低MOSFET发热…

  • 栅极驱动器LM5105总是很容易烧，是什么原因

    Other Parts Discussed in Thread: CSD18540Q5B , LM2735 , LM5105 用两个LM5105做全H桥电机驱动，MOS是CSD18540Q5B，LM5105的供电是LM2735升压5V-12V提供的，然后在H桥工作在低电压如7.4V下，给20KHzPWM工作时，出来的驱动引脚波形都特别完美，半桥输出是标准的方波，然后如果电源电压高一些，像16V，24V时，这个时候会有两种情况： A.一种是如果不加电机负载过去，然后一上电瞬间，偶尔会烧栅极驱动，烧完就是栅极驱动的低边会输出高一直…
    • Answered

  • [参考译文] TIDA-00620：更改了设计以适应更高的电压

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: DRV8701 , TIDA-00620 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools…
    • Answered

  • RE: [参考译文] DRV8303：DRV8303流过高和低侧FET的驱动

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好，Steve， 我与我们的设计师讨论了在高侧门切换事件中如何在低侧门上实施我们的内部下拉电阻器。 在该器件上，内部下拉电阻器的强度不足以使GLX引脚保持在较低的位置，使GHx引脚处于旋转状态的速度不快。 CSD1.854万Q5B MOSFET具有低QGD，可使它们以最小栅电流快速转换。 在48V系统中，耦合到GLX线的瞬态足以轻微打开低侧FET，从而导致由RSENSE线上的大瞬态测量的短暂透射期…

  • 关于电机驱动器的功率器件使用问题：TI的MOSFET方案是否可行

    驱动器要求：24V供电，最大电流在60A。 初选TI的NexFET: CSD18540Q5B (60V,1.8毫欧姆)现对手册中有些参数不太了解，不知道该器件是否能满足使用要求。 1.这里Id有三个参数：封装限制：100A；25度硅材料限制：221A；第三个参数28A是什么概念?选型时是按照三个参数最小值选型？？ 2.1.8毫欧是在25度下的，实际使用中电流比较大，温度也比较高，这样通态电阻肯定要变大，功耗大，发热也会更严重。在MOSFET选型时如何兼顾这个考虑？ 3.基于MOSFET的温度温度稳定性比较差问题…

  • [参考译文] LM5156：LM5156

    Other Parts Discussed in Thread: LM5156 , LM3478 , LM5155 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1089470/lm5156-lm5156 部件号： LM5156 主题中讨论的其他部件：…

  • [参考译文] DRV8305：使用高频PWM时的非线性PWM-RPM关系

    Other Parts Discussed in Thread: DRV8305 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/607597/drv8305-non-linear-pwm-rpm-relation-when-using-high-frequency…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。