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  • RE: [参考译文] CSD18542KTT：热阻的 PCB 设计

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Masa-San、 下面的链接是一个适用于同步降压转换器且基于 Excel 的 TI FET 选择工具。 我对您的应用做出了一些假设、并使用该工具估算 MOSFET 功率损耗。 我认为 CSD18542KTT 不是此应用的最佳选择。 由于控制 FET 中的高功率损耗、性能不会很好。 我推荐采用5x6mm SON 封装的 CSD18534Q5A。 原始 CSD18543Q3A…
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  • [参考译文] CSD18542KTT：RθJC

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1175367/csd18542ktt-r-jc 器件型号： CSD18542KTT 大家好、团队、 我有疑问。 您在测量 RθJC 时使用了哪些条件？ 我不知道您像其他 FET 那样使用了什么类型的基板和散热器…
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  • RE: [参考译文] CSD18542KTT：需要验证 CSD18542KTT 的原理图。

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Naveen、 抱歉、我忘记再次查看原理图了... 在总线电压为+48V 的情况下、您不能将此栅极驱动器与此处的 PMOS 搭配使用。 我建议使用 NMOS MOSFET。 NMOS MOSFET 的开关速度更快、并且导通的 R_DS 也比 PMOS 小(一般经验法则)。 如果您切换回 NMOS 设计、我仍有设计建议。 ---- 请注意、UCC27525的 INA 是反相的…
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  • [参考译文] CSD18542KTT：功率耗散和热

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/864901/csd18542ktt-power-dissipation-and-thermal 器件型号： CSD18542KTT 大家好、我有一个关于 FET 上结温以及占空比的基本问题。 我计划在三相电机的电源块上使用…
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  • [参考译文] TPS40210：差异与网络设计

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS40210 , CSD18543Q3A , CSD18542KTT 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/781954/tps40210-difference-vs-w…
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  • RE: [参考译文] CSD18540Q5B：工艺技术

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Tateo、 感谢您向客户推广 TI MOSFET。 CSD18540Q5B 采用与 CSD18542KTT 略有不同(较新)的器件工艺制造。 因此、QG x RDS (on)品质因数会更好一些。
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  • RE: [参考译文] DRV8350：DRV8320 -栅极驱动器和可能的电荷泵故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我们在 DRV8350RS 设计和 CSD18542KTT DRV8320RS 设计中使用 CSD19532KTT。 如果我看一下 CSD18542KTT 的图8、可以看到 FET 在启动和硬运行之间会遇到0.9-1.5x 的差异、这对应于与标称跳闸电流类似的范围。 此外、由于 FET 具有如此低的导通电阻、VDS 电平很小、电流电平~20A 的设置粒度很小。 我认为变化不是由布局造成的…
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  • RE: [参考译文] CSD18542KTT：数据表中 N 沟道或 P 沟道的连续电流 ID 方向

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 周 这里唯一的区别是、我们只是以不同的方式对器件进行了规格说明。 封装电流额定值适用于两个方向、因为这是硅片和源极接线柱之间连接的函数、电子无论正向偏置还是反向偏置都会流过同一路径。 但是、热限制相反取决于体二极管中的损耗、而不是 FET 导通电阻产生的传导损耗。 换句话说、无论 FET 是正向偏置还是反向偏置、热环境允许您消耗的功率都是相同的、 但正方向功率的计算方法是…

  • 官网的资料与提供的文件IC信息不一致，希望核实改进~

    • TI器件.pdf

  • [参考译文] CSD1.8542万KTT：CSD1.8542万KTT存在门铃问题

    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/571984/csd18542ktt-csd18542ktt-with-gate-ringing-issue 部件号： CSD1.8542万KTT 尊敬的先生 TI是否有如下链接所示的此类文档？？…

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