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• RE: [参考译文] DRV8350：DRV8320 -栅极驱动器和可能的电荷泵故障

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我们在 DRV8350RS 设计和 CSD18542KTT DRV8320RS 设计中使用 CSD19532KTT。 如果我看一下 CSD18542KTT 的图8、可以看到 FET 在启动和硬运行之间会遇到0.9-1.5x 的差异、这对应于与标称跳闸电流类似的范围。 此外、由于 FET 具有如此低的导通电阻、VDS 电平很小、电流电平~20A 的设置粒度很小。 我认为变化不是由布局造成的…

  • over 5 years ago
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• [参考译文] CSD18533KCS：我的应用需要 MOSFET 建议

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/692515/csd18533kcs-need-a-mosfet-suggestion-for-my-application 器件型号： CSD18533KCS 大家好、 您能否为本主题中讨论的应用推荐合适的…

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  • over 6 years ago
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• RE: [参考译文] CSD18542KTT：数据表中 N 沟道或 P 沟道的连续电流 ID 方向

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 周 这里唯一的区别是、我们只是以不同的方式对器件进行了规格说明。 封装电流额定值适用于两个方向、因为这是硅片和源极接线柱之间连接的函数、电子无论正向偏置还是反向偏置都会流过同一路径。 但是、热限制相反取决于体二极管中的损耗、而不是 FET 导通电阻产生的传导损耗。 换句话说、无论 FET 是正向偏置还是反向偏置、热环境允许您消耗的功率都是相同的、 但正方向功率的计算方法是…

  • over 7 years ago
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• 官网的资料与提供的文件IC信息不一致，希望核实改进~

  

  user4986719

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  • over 7 years ago
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• [参考译文] CSD1.8542万KTT：CSD1.8542万KTT存在门铃问题

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/571984/csd18542ktt-csd18542ktt-with-gate-ringing-issue 部件号： CSD1.8542万KTT 尊敬的先生 TI是否有如下链接所示的此类文档？？…

  • over 7 years ago
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