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  • [参考译文] LM25116：PCB 审查

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    Other Parts Discussed in Thread: LM25116 , CSD18537NQ5A , CSD18563Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/841916/lm25116-pcb-review 器件型号： L…
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  • [参考译文] H 桥电机驱动器、使用 MOSFET 实现更高扭矩的电机

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18514Q5A , CSD18534Q5A , CSD18513Q5A , CSD18563Q5A , DRV8701 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/976083/h-bridge…
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  • [参考译文] WEBENCH®︎工具/LM5175：我可以#39；t 启动电路... 不生成。

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5175 , LM5176 , MSP430FR5972 , CSD16321Q5 , CSD18563Q5A , LM25122-Q1 , LM5122ZA , LM5175EVM-HP 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f…
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  • [参考译文] LM5145：评估模块 LM5145EVM-HD-20A

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5145 , LM5145EVM-HD-20A , CSD18563Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/836285/lm5145-evaluation-module…
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  • [参考译文] LM5141-Q1：在 webench 上选择外部 MOSFET

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5141-Q1 , LM5141 , CSD18563Q5A , LM25141-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/816737/lm5141-q1-the-external…
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  • [参考译文] LM5176-Q1：快速入门指南中的使用比较器组件时的电感器振铃问题

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    Other Parts Discussed in Thread: LM5152-Q1 , LM5176 , CSD18563Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1123615/lm5176-q1-inductor-ringing-problem…
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  • RE: [参考译文] LM5145：多路高功率+24V 输出解决方案

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Chris： 您似乎可以将60V NexFET 用于此应用-例如 CSD18563Q5A -用于高侧和低侧 MOSFET。 请发送 Excel 快速入门文件以供查看、因为5 x 6mm MOSFET 封装中的功率耗散通常不应超过1.5W (取决于 最高环境温度和气流)。 由于 LM5145的死区时间非常短(15ns)、因此反向并联肖特基二极管仅具有增量优势。 30-70uF…
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  • [参考译文] CSD18532Q5B：PSI-JT 热特性参数

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD18532Q5B , CSD18540Q5B , CSD18537NQ5A , CSD18563Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/643010/csd18532q5b…
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  • [参考译文] LM5141：VCC 处的0V 是否表示芯片损坏？

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A , CSD18563Q5A 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/815367/lm5141-does-0-v-at-vcc-indicate-a-damaged…
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  • [参考译文] LM5141：VCC 处的0V 是否表示芯片损坏？

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