Other Parts Discussed in Thread: TIDA-010042 , CSD19531Q5A , LM5109B , MSP-FET 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware…
Other Parts Discussed in Thread: PMP22764 , LM5156H , CSD19531Q5A , CSD19534Q5A 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好 Scott、
感谢您向客户推广 TI FET。 我们没有与 BSZ075N08NS5交叉的 P2P。 我们采用3x3mm SON 封装的最接近的 FET 的导通电阻几乎是其两倍。 客户是否可以在更大的5x6mm SON 封装中使用 FET? 如果是、我建议使用 CSD19531Q5A。
此致、
John Wallace
TI FET 应用
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Zhonghui、
感谢您向客户推广 TI FET。 FET 选择工具使用本 应用报告中的公式 来估算 FET 中的功率损耗。 一个关键因素是包含影响高侧 FET 开关损耗的共源寄生电感。 用户首先选择低侧 FET、然后选择高侧 FET。 选择具有最低功率损耗的同步 FET 并不总是导致最低总体功率损耗、因为低侧的反向恢复损耗实际上会在高侧 FET 中耗散。 导通电阻最低的同步…
Other Parts Discussed in Thread: LM5116 , CSD19531Q5A 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1004411/lm5116-occasional-failures-cause-unkno…