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  • [参考译文] LM5149：LM5149的输出在非常低的负载电流下降至稳压范围之外

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    Other Parts Discussed in Thread: LM70660 , CSD19532KTT , LM5148 , CSD19532Q5B , LM5149 , LM70860 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1455009…
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  • RE: [参考译文] LM5069：由于电源连接不良导致锁定故障

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Rakesh 我在不同的时基和两种情况下获得了几个波形：原始电路和每个 MOSFET 栅极上有4.7欧姆电阻器。 遗憾的是、我们没有可用的电流探头 来记录其波形、但在测试期间、电源显示屏上的介质值位于60mA 附近。 此设置中的电路负载仅为两个12V 和5V 降压稳压器、具有低功耗、因为我目前甚至没有连接电机。 原始电路 通道1 -黄色- VIN 通道2 -绿色…
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  • RE: [参考译文] CSD19532KTT：降低 MOSFET VDS 最大值

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Adarsh： 感谢您的咨询。 首先、请确保使用非常短的 GND 连接将示波器探头尽可能靠近 FET 的漏极和源极连接。 大多数示波器探头的尾纤接地连接会形成一个大环路、能够拾取并非实际漏源电压的噪声。 下面的链接是一个有关 TI FET 振铃降低技术的应用手册。 虽然该产品主要面向同步降压转换器、但使用 R-C 缓冲器等技术适用于许多使用半桥配置 FET 的应用。 此外还提供了一些有关正确示波器探头连接的良好图片…
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  • [参考译文] CSD19531Q5A：如何为 MOSFET 提供热耗散

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD19532KTT , CSD19531Q5A , CSD19532Q5B , TIDA-010042 , CSD19535KTT , CSD18540Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…
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  • [参考译文] LM74900-Q1：与 PSpice 模型相关的问题

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD19532KTT , LM74900-Q1 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1328366/lm74900-q1-issue-related-to-pspice…
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  • RE: [参考译文] CSD19532KTT：北美

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Butulsara： 感谢您关注 TI FET。 您可以在下面的链接中找到 RoHS 和 REACH 声明。 在产品文件夹中的"订购和质量"选项卡下、您将看到此器件属于 RoHS 豁免并影响 REACH。 这是由于在内部使用了引线焊接芯片、从而将芯片连接到引线框。 第二个链接是该器件的材料成分。 最后一个链接是一篇技术文章、介绍 TI FET 的无铅状态。 …
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  • RE: [参考译文] CSD19532KTT：北美

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Butulsara： 感谢您关注 TI FET。 您可以在下面的链接中找到 RoHS 和 REACH 声明。 在产品文件夹中的"订购和质量"选项卡下、您将看到此器件属于 RoHS 豁免并影响 REACH。 这是由于在内部使用了引线焊接芯片、从而将芯片连接到引线框。 第二个链接是该器件的材料成分。 最后一个链接是一篇技术文章、介绍 TI FET 的无铅状态。 …
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  • RE: [参考译文] CSD19532KTT：北美

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Butulsara： 感谢您关注 TI FET。 您可以在下面的链接中找到 RoHS 和 REACH 声明。 在产品文件夹中的"订购和质量"选项卡下、您将看到此器件属于 RoHS 豁免并影响 REACH。 这是由于在内部使用了引线焊接芯片、从而将芯片连接到引线框。 第二个链接是该器件的材料成分。 最后一个链接是一篇技术文章、介绍 TI FET 的无铅状态。 …
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  • RE: [参考译文] CSD19532KTT：北美

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Butulsara： 感谢您关注 TI FET。 您可以在下面的链接中找到 RoHS 和 REACH 声明。 在产品文件夹中的"订购和质量"选项卡下、您将看到此器件属于 RoHS 豁免并影响 REACH。 这是由于在内部使用了引线焊接芯片、从而将芯片连接到引线框。 第二个链接是该器件的材料成分。 最后一个链接是一篇技术文章、介绍 TI FET 的无铅状态。 …
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  • RE: [参考译文] DRV8353RS-EVM：电机驱动器论坛

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 DeccanR 团队： 以下 E2E 帖子讨论了如何使用 CSD19532KTT N-FET 生成更高的电流： 如何使用 CSD19532KTT 生成高达~100A 的高电流？ 如何设计 PCB 布局、以便漏极和源极端子能够传递至少高达50A 的电流？ 最棒的 ~Alicia

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