搜索提示
找到 94 个结果 查看 问题 帖子 排序依据
    Answered

  • [参考译文] LM5008：有关 TI 产品的问题#39

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5008 , CSD19532Q5B 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/722981/lm5008-question-about-ti-s-product 器件型号：…
    • Answered

  • [参考译文] tps2400：TPS2400降低输入电源的速度

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS2400 , LM5069 , CSD19532Q5B , CSD19536KTT , CSD19535KTT 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/658178/tps2400…
    • Answered

  • [参考译文] DRV8353R：栅极驱动故障

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: DRV8353RS-EVM , DRV8353R , DRV8353 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/motor-drivers-group/motor-drivers/f/motor-drivers-forum/1445486/drv8353r-gate-drive-failure 器件型号： DR…

  • RE: LM5117使用问题

    建议可以用CSD19532Q5B，可以采用双管并联的方式
    • Answered

  • RE: [参考译文] UCC25702：数据可靠性

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Peter： 如果可以提供帮助、请单击此处链接至我讨论过的晶体管文件： e2e.ti.com/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/CSD19532Q5B-Qual-Summary.pdf_2E00_ 这对我来说已经足够了、我会寻找相同类型的数据。 此致 Thierry …
    • Answered

  • [参考译文] TPS1663：56V输入的热插拔应用

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS1663 , LM5069 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1094792/tps1663-hot-plug-application-at-56vin 部件号： T…

  • 关于LM5117PMHX/NOPB的电源纹波

    您好，我使用了LM5117PMHX/NOPB芯片将50V转成12V输出，现在输出的电压波形如下图所示？请问这是由于什么引起的？原理图问题还是布局布线的问题较大？ 原理图 LM5117PMHX_NOPB.pdf 望回复。
    • Answered

  • RE: [参考译文] DRV8704：避免使用 Rsense

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 伊万 这些器件的额定值可能过高、但正是我们在 DRV8353R EVM 上使用的器件、可以轻松处理100A 电流： http://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd19532q5b.pdf 此致、 -Adam
    • Answered

  • RE: [参考译文] DRV8303：DRV8303流过高和低侧FET的驱动

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 我已开始测试不同的MOSFET，它们具有更高的门开启阈值。 CSD1.9532万Q5B。 我不想使用这些，因为它们具有更高的RDS (接通)。 我介绍的死机时间多少也无关紧要。 下面是一个在控制信号输入中使用死区的示例，1.5us仍然不能解决问题。 电动机换向故障以及所有由此产生的故障。
    • Answered

  • RE: [参考译文] BQ76930：TIDA-01093 DSG MOSFET 栅极处的电压

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 如果您希望在给定的 Vgs 电压下实现较低的 Rdson、那么您肯定可以使用不同的 MOSFET。 例如、我们将 EVM 上的该器件用于 BQ76942电池监控器： http://www.ti.com/lit/ds/symlink/csd19532q5b.pdf 我不是 TI 参考设计的设计人员、但正如我说过的、许多用户已经使用该电路进行了生产、因此我不知道有任何问题。 面临的挑战是将来自两个不同器件的…

未找到您搜索的内容？发布一个新问题吧。