Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/831955/csd19534q5a-pressure-value-of-csd19534q5a 器件型号: C…
Other Parts Discussed in Thread: CSD19534Q5A , CSD18563Q5A 请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/815367/lm5141-does-0-v-at-vcc-indicate-a-damaged…
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Nakai San、您好!
感谢您继续向客户推广 TI FET。 FET 数据表中发布的开关时间用处有限。 LM5145包括自适应死区时间控制、可防止 FET 交叉导通。 我还随附了一个电子表格、其中包含采用5x6 QFN 封装的所有80V 至100V TI FET 的列表。 CSD19533Q5A 的 TD (关断)时间为16ns。 请参阅此博客:
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