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• [参考译文] CSD19536KTT：器件性能优于 CSD19536KTT

  

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  Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT , CSD19506KTT 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1274910/csd19536ktt-better-device-than-cs…

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• [参考译文] CSD19536KTT：关于 CSD19536KTT 的 ESD (HBM、MM、CDM)

  

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• CSD19536KTT: 作为BMS电源开关，在充放电状态下发热不一样，有什么排查手段吗？

  

  jim waw

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  Part Number: CSD19536KTT 使用该型号MOS管6对，在充电状态下和放电状态下通过同样大小的电流12.5A，发热程度不一样，最高平衡温度相差10度。在充电状态时的Vgs电压为10.54v，在放电状态时的Vgs电压为10.88v，12个mos管的Vgs电压都是一致的。这个情况会是什么原因呢？有什么排查的手段吗？ TRANSLATE with x English Arabic Hebrew Polish Bulgarian Hindi Portuguese …

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• [参考译文] CSD19536KTT：磁带的方向？

  

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• [参考译文] CSD19536KTT：磁带的方向？

  

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• [参考译文] CSD19536KTT：磁带的方向？

  

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• [参考译文] CSD19536KTT：磁带的方向？

  

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• [参考译文] CSD19536KTT：这款 MOSFET 和其他 MOSFET 也没有热阻、因为最小的覆铜面积和1平方英寸的

  

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• [参考译文] CSD19536KTT：10us、100us 和1ms 持续时间内允许的最大体二极管电流

  

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• [参考译文] CSD19536KTT：10us、100us 和1ms 持续时间内允许的最大体二极管电流

  

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