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  • [参考译文] CSD19536KTT：瞬态热阻抗、Ta

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  • [参考译文] CSD19536KTT：散热焊盘镀层的最大厚度

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  • [参考译文] CSD19536KTT：数据表中 R_DS (on)的温度条件

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  • [参考译文] CSD19536KTT：当半桥中的较低 MOS 关断时、会出现电压浪涌

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD19536KTT 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/762135/csd19536ktt-there-is-a-voltage-surge-when-the-lower…
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  • [参考译文] CSD19536KTT：是否可以在热插拔应用中并行使用3个 CSD19536？

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  • [参考译文] CSD19536KTT：CSD19536KTT 的数据表引脚排列差异

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  • [参考译文] CSD19536KTT：PLECS 型号请求

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  • [参考译文] CSD19536KTT：SPICE 模型申请

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  • [参考译文] TPS2490：使用 Infineon GaN FET (IGC033S101) 的仿真不会收敛

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  • [参考译文] UCC21520-Q1：PSFB 拓扑中并联 MOSFET 的栅极驱动策略

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