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  • LM5146: 46V 15A输出打嗝

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    Part Number: LM5146 你好，我们需要用到46V 20A DC-DC输出，我按照TI WebBench上的推荐设计，发现只能输出到10A，10A以上就打嗝。不知道是什么问题导致的。 下面是我的电路原理图 和 打嗝状态视频。 请帮我解决下，是哪里的参数不对导致的。 谢谢！ LM5146_46V15A原理图.pdf
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  • [参考译文] TPS2663：下载 PSpice、用于 TI 瞬态分析、并且即使器件是 TI 器件也抛出错误

    Other Parts Discussed in Thread: TPS2663 , CSD19537Q3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1228389/tps2663-downloaded-pspice-for-ti-transient…
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  • RE: [参考译文] CSD19537Q3：G-S 之间的保护二极管

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、DIE-K、 感谢您关注 TI FET。 CSD19537Q3不包含栅源保护二极管。 通常情况下、G-S 二极管(单端或背靠背)将在特性中列出、并显示在数据表第1页的原理图图中。 请参阅以下第一个链接中的技术文章、了解有关 TI FET 中使用的 ESD 保护的更多信息。 第二个链接是应用手册、其中包括指向所有 TI MOSFET 技术配套资料的链接。 https:/…
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  • RE: [参考译文] CSD18543Q3A：需要替代器件型号

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Arvidn m、 感谢您关注 TI FET。 此 CSD18543Q3A 是我们唯一一款采用3.3 x 3.3mm SON 封装的60V FET。 此类封装中唯一的 TI 替代方案是 CSD19537Q3 (100V NFET、VGS = 10V 时最大为14.5mΩ Ω)、该器件的封装尺寸应与 CSD18543Q3A 兼容。 我很确定 TI 的竞争对手也提供了类似的产品…
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  • [参考译文] LM76005：短缺期间用于原型的 TI 器件/IC

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS2491 , CSD19537Q3 , TPS2490 , SN65HVD1781 , TPS62091 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1122338/lm76005…
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  • [参考译文] TPS62091：设计帮助- Vout=3Vx3A - Vin=4.5~5.5V

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS62091 , LM76005 , TPS62826 , TPS2491 , CSD19537Q3 , SN65HVD1781 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1110539…
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  • [参考译文] LM76005：设计帮助- Vout=5Vx5A - Vin=10~40V

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    Other Parts Discussed in Thread: SN65HVD1781 , TPS2491 , CSD19537Q3 , TPS62091 , LMR16030 , LM76005 , LM76005QEVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…
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  • [参考译文] TPS2491：TPS249x 设计帮助- Sirros IoT

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    Other Parts Discussed in Thread: TPS1H200A-Q1 , TPS2491 , CSD19537Q3 , TPS2490 , TPS2663 , LM5069 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1103429…
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  • [参考译文] 推荐用于 TK22A10N1的 TI 解决方案

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    Other Parts Discussed in Thread: CSD19534KCS , CSD19537Q3 , CSD19533KCS 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers-group/switches-multiplexers/f/switches-multiplexers-forum/1076204/suggest…
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  • RE: [参考译文] BQ24715：bq24715 + CSD17308：HS-FET 突然死亡

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    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 尊敬的 Tilmann： 我希望看到添加栅极电容器的好处、因为这可能会避免选择新的器件。 下面是我找到的几个示例。 我无法保证性能、因为这是一个充电控制器、而且我自己也没有测试过这些组合。 此外、请注意、我并不总是能够获得相同的封装。 CSD19537Q3：2.6V 栅极阈值的最小值、1290pF 输入电容、13.3pF 反向传输电容、VGS = 6V 时为13.8m Ω…

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