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找到 58 个结果 查看 问题 帖子 排序依据

  • LM5118: 问题描述如下：

    TI 认为已经解决
    Part Number: LM5118 各位专家： 1.设计：输入范围20V~60V，输出33V/2A，电路原图图如下： LM5118_20240219.pdf 2.实际测试情况：输入38V~60V时，输出 33V/2A工作正常； 3.实际测试情况：输入20V~38V时，输出33V时，最大电流1A工作正常；如果超过1A时，输出电压就会小于33V
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  • [参考译文] BQ24715：bq24715 + CSD17308：HS-FET 突然死亡

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: BQ24715 , CSD19537Q3 , CSD18543Q3A , CSD17308Q3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1058422/bq24715-bq24715…
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  • RE: LM5022 webench 设计工具设计出的变压器感量与匝比疑问

    已解决
    您好， 根据Vmax=40V,反射电压10.7V，计算VDS=40+10.7+Vleg,假定漏感电压约10V，VDS=60.7V, 再按照80%的选择，选定MOS管的耐压值（100V）,Ipk原边电流估算是5.49A，故选MOS管Id值（10A），再根据以上选择MOS管，然后查看MOS的Qg, 计算驱动电流，TI官网的设计工具推荐的型号 CSD19537Q3 ，查看Qg=16~21nc,ton=5ns,tr=3ns, the I_driver calculated is 21/(5+3)=2.625A…
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  • [参考译文] TPS2663：说明

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS2663 , CSD19537Q3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/745165/tps2663-clarifications 器件型号： TPS2663 主题中讨论的其他器件…
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  • [参考译文] WEBENCH®︎工具/LM5022：lm5022

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: LM5022 , CSD19537Q3 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/tools/simulation-hardware-system-design-tools-group/sim-hw-system-design/f/simulation-hardware-system-design-tools…
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  • RE: [参考译文] WEBENCH®︎工具/CSD18543Q3A：查找具有相同封装的 CSD18543Q3A 部件或替代部件

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Dennis、 我将为您研究功率损耗差异。 您能否具体确认您所指的 PD 是 LS FET 的 PD、而不是总功率损耗？ MOSFET 功率损耗计算器通常会考虑二阶效应、例如在较高频率下尤其不利的共源极电感(2MHz 实际上会将其推入该输入电压)、并且还会假设结温更高、 因此、我更倾向于相信这些数字、但我将进行调查。 理论上、您可以使用 CSD19537Q3、但 CSD18543Q3A…
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  • RE: [参考译文] TPS40170：损坏低侧 FET

    已解决
    请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 哈里森 从直接观察两个 FET 上的栅极驱动信号来看、似乎有~500ns 的死区时间-我认为没有发生击穿-至少在正常情况下不是这样。 FET P/NS 为： 高侧= CSD19537Q3 低侧= BSC340N08NS3G 无论如何、我们都看到了在其栅极(LDRV 引脚)上使用1000pF 电容时以及在没有电容时出现的问题(低侧 FET 损坏)。 至于 TRK、您是否认为通过启动将…
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  • [参考译文] LM76005：设计帮助- Vout=5Vx5A - Vin=10~40V

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: SN65HVD1781 , TPS2491 , CSD19537Q3 , TPS62091 , LMR16030 , LM76005 , LM76005QEVM 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management…
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  • [参考译文] TPS2491：TPS249x 设计帮助- Sirros IoT

    已解决
    Other Parts Discussed in Thread: TPS1H200A-Q1 , TPS2491 , CSD19537Q3 , TPS2490 , TPS2663 , LM5069 请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/1103429…

  • LM5122: Dual phase无法升压问题

    Part Number: LM5122 Hi， 我使用LM5122设计了一个dual phase升压电路，贴片回来之后发现升压输出等于输入电压24V。原理图如附件。我想问一下dual phase升压是必须使用外部同步时钟吗？还有就是我这个原理图设计是否存在问题，导致升压不正常。 02_DRV POWER.pdf

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