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• RE: [参考译文] CSD23381F4：技术规格检查

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Gareth、 感谢您关注 TI FET。 CSD23381F4包括从栅极到源极的单端 ESD 保护二极管、当栅极电压高于源极电压时、该二极管可正向偏置。 另一种选择是 CSD23382F4、后者具有相同封装和引脚排列的背靠背 ESD 栅极保护结构。 请注意、B2B ESD 保护的泄漏比单端高、但会在栅极电压高于源极时阻止。 要了解有关 TI FET 中 ESD 保护的更多信息…

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] CSD23381F4：引脚镀层

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Avi、您好！ 感谢您关注 TI FET。 CSD23381F4上的端子镀层为：ENiAu=1 um Ni、0.08 um Au。 此致、 John Wallace TI FET 应用

  • 3 年多前
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• RE: [参考译文] TINA/Spice/CSD23381F4：PSPICE 模型中的二极管压降和电阻压降

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 胡安 我相信、二极管和电阻 器都包含在 PSpice 模型中、封装寄生效应也包含在其中。

  • 7 年多前
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• [参考译文] CSD23381F4：Picostar/FemtoFET 封装的布局问题/故障

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/587713/csd23381f4-layout-issues-troubles-with-picostar-femtofet-packages 器件型号： CSD23381F4 我们在晶体管的 PICOSTAR…

  • 7 年多前
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• 官网的资料与提供的文件IC信息不一致，希望核实改进~

  

  user4986719

  • TI器件.pdf

  • 7 年多前
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• csd23381f4这颗Mosfet的问题

  

  Luffy Liu1

  非常奇怪，TI的这种PMOS GS之间的ESD保护二极管是单向的，正常应该是双向的,为什么呢？ 并且这种PMOS和其他正常的PMOS是否还有别的差异？

  • 7 年多前
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• RE: [参考译文] CSD1.338万F3：FemtoFET的金属化

  

  admin

  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Brett，您好！ 我有一位客户询问CSD2.3381万F4的基座金属。 您是否说精加工层上方的金属是Al？ 非常感谢您的帮助！

  • 7 年多前
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• 关于BQ76930TS1和TS2热敏电阻测温原理的设计问题

  

  heming shang

  Other Parts Discussed in Thread: BQ76930 您好，问下BQ76930关于热敏电阻测温电路TS1 和TS2的原理部分，为什么官方文件给的是两种测量方式，而且，两种原理是如何测量的，不是很明白

  • TI 10串原理图疑问点.pdf

  • 8 年多前
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