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RE: [参考译文] CSD23382F4:有关 CSD23382F4的问题
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好、Jimmy、 我将关闭该主题。 如果您需要进一步帮助、请通过私人消息回复。 谢谢。 约翰
over 1 year ago
电源管理(参考译文帖)
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RE: [参考译文] CSD23381F4:技术规格检查
admin
Resolved
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Gareth、 感谢您关注 TI FET。 CSD23381F4包括从栅极到源极的单端 ESD 保护二极管、当栅极电压高于源极电压时、该二极管可正向偏置。 另一种选择是
CSD23382F4
、后者具有相同封装和引脚排列的背靠背 ESD 栅极保护结构。 请注意、B2B ESD 保护的泄漏比单端高、但会在栅极电压高于源极时阻止。 要了解有关 TI FET 中 ESD 保护的更多信息…
over 3 years ago
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RE: [参考译文] CSD23382F4:CSD23382F4
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Atul、 感谢您关注 TI FET。 我已检查
CSD23382F4
端接涂层为1um Ni 和0.08um Au。
over 5 years ago
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RE: [参考译文] CSD23382F4:P 沟道 FET 作为反向电池保护
admin
Resolved
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Shlomi、 我们的所有 P 沟道 FemtoFET 都具有 ESD 保护。
CSD23382F4
使用背对背二极管、所有其他二极管在栅源极之间都有一个二极管。 具有单二极管的同类器件是 CSD25484F4。 泄漏电流 IGSS 远低于此值。 但是、对于单个二极管、如果源极被拉至栅极以下、则二极管将正向偏置并传导电流。 在您的应用中、如果电池反极性连接、则二极管将导通…
over 5 years ago
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RE: [参考译文] CSD23382F4:CSD23382F4在4.5V 时的栅源泄漏电流
admin
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请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 遗憾的是、在-8Vgs 下、我们没有该特定器件的任何数据。 而且很难预测在8V 以下的任何点会出现什么泄漏、因为对于这种技术类型、泄漏会随 Vgs 呈指数级增长。 因此、如果您想保守起见、可以将8V 泄漏电压乘以线性因数(10uA * 4.5/8 = 5.6uA)、您可以放心地说、由于指数曲线的一致性、器件的实际 IGSS 会很好地低于此值。 但是、我不知道如何在不实际测量器件的情况下获得比这更精确的估算值…
over 6 years ago
电源管理(参考译文帖)
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RE: [参考译文] CSD17484F4:评估板
admin
Resolved
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 Jeevan、 我已经为
CSD23382F4
申请了 TINA TI SPICE 模型-当我有计划完成时、我会告诉您。 不确定为什么没有创建。
over 7 years ago
电源管理(参考译文帖)
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官网的资料与提供的文件IC信息不一致,希望核实改进~
user4986719
TI器件.pdf
over 7 years ago
电源管理
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[参考译文] CSD2.3382万F4:未加密的PSpice模型
admin
请注意,本文内容源自机器翻译,可能存在语法或其它翻译错误,仅供参考。如需获取准确内容,请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/584637/
csd23382f4
-unencrypted-pspice-model 部件号: CSD2.3382万F4 大家好, 是否可以获得 CSD2.3382万F4的未加密PSpice模型? …
over 7 years ago
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