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• RE: [参考译文] CSD25211W1015：数据表说明

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Mitchell、 感谢您向客户推广 TI FET。 我们将研究数据表问题。 我将关闭此主题、并通过定期电子邮件与您联系。 此致、 John Wallace TI FET 应用

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] CSD25304W1015：MOSFET Vgs 最大

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 你好，艾伦， 我将看看你们的模拟。 我认为避免超过 ABS 最大 VGS 的最佳方法是在浇口和源之间添加齐纳二极管。 CSD25211W1015集成式栅极 ESD 二极管在产品开发过程中具有特征，但未在连续操作期间用于夹紧栅极电压的应用中进行测试。 因此，我认为最好继续使用 CSD25304W1015，并在浇口和源之间添加齐纳二极管。 此致， 约翰

  • 2 年多前
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• RE: [参考译文] TPS75003：TPS75003外部 PMOS

  

  admin

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 您好、Jerry、 感谢您关注 TI FET。 我们不会在 SOT-23中制造任何 PMOS FET。 我们有以下可选封装器件、它们可能起作用： CSD25304W1015 CSD25211W1015 CSD25202W15 CSD25310Q2

  • 5 年多前
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• 官网的资料与提供的文件IC信息不一致，希望核实改进~

  

  user4986719

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  • 7 年多前
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• [参考译文] CSD2.5211万W1015：1015：VDS值为何在CSD2.5211万W1015左右1015左右增加

  

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  请注意，本文内容源自机器翻译，可能存在语法或其它翻译错误，仅供参考。如需获取准确内容，请参阅链接中的英语原文或自行翻译。 https://e2e.ti.com/support/power-management-group/power-management/f/power-management-forum/583617/csd25211w1015-why-the-vds-value-increase-about-the-csd25211w1015 部件号： CSD2.5211万W1015</s>1015…

  • 7 年多前
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